Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGL180A1202G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC20003 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.8 V | 220 A | 200 nA | 750 W | SP2-18 | - 40 C | + 100 C | Bulk | ||||
APTGL180A120T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3090 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.8 V | 230 A | 200 nA | 940 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGL240TL120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6223 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.8 V | 305 A | 1 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||||
APTGL325A120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7081 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.8 V | 420 A | 400 nA | 1.5 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGL40H120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8085 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.85 V | 65 A | 400 nA | 220 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGL40X120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3132 | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1.2 kV | 1.85 V | 65 A | 400 nA | 220 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGL475A120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7082 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.8 V | 610 A | 400 nA | 2.08 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGL475DA120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7079 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 610 A | 400 nA | 2.08 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGL475SK120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7084 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 610 A | 400 nA | 2.08 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGL475U120D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7072 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 610 A | 2.082 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
APTGL475U120DAG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6171 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 610 A | 2.307 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGL60DDA120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3097 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 80 A | 400 nA | 280 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGL60H120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3142 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.85 V | 80 A | 400 nA | 280 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGL60TL120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3088 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.8 V | 80 A | 400 nA | 280 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGL700DA120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7086 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 840 A | 800 nA | 3 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGL700SK120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7087 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 840 A | 800 nA | 3 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGL700U120D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7070 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 910 A | 3 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
APTGL90A120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8086 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | 385 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGL90DA120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8109 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | 385 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGL90DDA120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3136 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | 385 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGL90DSK120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3174 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | 385 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGL90H120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3096 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | 385 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGLQ100A65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8101 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.85 V | 135 A | 150 nA | 350 W | SP1-12 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||
APTGLQ200H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6228 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 2.05 V | 350 A | 340 nA | 1 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGLQ200HR120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6214 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual Common Emitter | 1.2 kV, 600 V | 2.05 V, 1.5 V | 300 A, 150 A | 480 nA, 400 nA | 1 kW, 340 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »