Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
A2C25S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V25 A500 nA197 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
A2C35S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTCНетSiIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V35 A500 nA250 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
A2C35S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTCНетSiIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V35 A500 nA250 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
A2P75S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V75 A500 nA454.5 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
A2P75S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V75 A500 nA454.5 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
F3L25R12W1T4B27BOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASYНетSiIGBT Silicon Modules3-Phase1200 V1.85 V25 A100 nA215 WEasyPack1B- 40 C+ 150 CTray
FF1200R17IP5BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PP, IHM I, XHP 1,7KVНетSiIGBT Silicon ModulesDual1700 V1.75 V1200 A400 nAPrimePack2- 40 C+ 175 CTray
FF225R12ME4PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONOНетSiIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V225 A400 nA20 mW152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm- 40 C+ 150 CTray
FF225R12ME4PBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONOНетSiIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1.2 kV1.85 V450 A400 nA20 mWModule- 40 C+ 150 CTray
FF300R12KS4PHOSA1Infineon / IRМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MMНетSiIGBT Silicon ModulesDual1200 V3.2 V300 A400 nA62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF300R12KT4PHOSA1Infineon / IRМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MMНетSiIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.75 V300 A400 nA62 mm- 40 C+ 150 CTray
FP50R12KT4PBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONOНетSiIGBT Silicon Modules3-Phase1200 V1.85 V50 A100 nAEconoPIM2- 40 C+ 150 CTray
FS200R12PT4PBOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONOНетSiIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter1.2 kV1.75 V200 A100 nA20 mW130 mm x 103 mm x 20.55 mm- 40 C+ 150 CTray
IFCM20T65GDXKMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULESНетSiIGBT Silicon Modules2-Phase650 V1.7 V20 A1 mA52.3 WMDIP-24- 40 C+ 100 CTube
IFCM20U65GDXKMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULESНетSiIGBT Silicon Modules3-Phase650 V1.7 V20 A1 mA52.3 WMDIP-24- 40 C+ 100 CTube
IFCM30T65GDXKMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULESНетSiIGBT Silicon Modules2-Phase650 V1.75 V30 A1 mA60.4 WMDIP-24- 40 C+ 100 CTube
IFCM30U65GDXKMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULESНетSiIGBT Silicon Modules3-Phase650 V1.75 V30 A1 mA60.4 WMDIP-24- 40 C+ 100 CTube
IXA70R1200NAIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3 (MINIНетSiIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V100 A500 nA350 WSOT-227B-4- 40 C+ 125 CTube
NXH160T120L2Q2F2SGON SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBTНетSiIGBT Silicon ModulesSplit-T600 V, 1200 V1.47 V, 2.15 V100 A, 160 A300 nA, 500 nA500 WQ2PACK- 40 C+ 125 CTray
NXH80T120L2Q0S1GON SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULEНетSiIGBT Silicon ModulesT-Type600 V, 1200 V1.4 V, 2.05 V49 A, 67 A200 nA, 300 nA158 WQ0PACK- 40 C+ 150 CTray
STGIPQ5C60T-HZSSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTsНетSiCIGBT Silicon Carbide ModulesHalf Bridge600 V2.15 V5 A13.6 WN2DIP-26L- 40 C+ 125 C
DF80R07W1H5FPB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASYНетSiCIGBT Silicon Carbide ModulesDual650 V1.4 V20 A100 nAAG-EASY1B-2- 40 C+ 150 CTray
F3L11MR12W2M1B65BOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Easy 2B CoolSiC(TM) MOSFETНетSiCIGBT Silicon Carbide ModulesDual1.2 kV1.75 V50 A100 nA20 mWModule- 40 C+ 150 CTray
NXH80B120H2Q0SGON SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODEНетSiCIGBT Silicon Carbide ModulesDual1200 V2.2 V40 A200 nA103 WQ0BOOST- 40 C+ 125 CTray
GB100XCP12-227GeneSiC SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A SIC IGBT CoPakНетSiCIGBT Silicon Carbide ModulesIGBT-Inverter1200 V1.9 V400 nASOT-227- 40 C+ 175 CBulk

Страницы