Всего результатов: 1300
Страницы
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A2C25S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2C35S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2C35S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2P75S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 75 A | 500 nA | 454.5 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2P75S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 75 A | 500 nA | 454.5 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1200 V | 1.85 V | 25 A | 100 nA | 215 W | EasyPack1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FF1200R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PP, IHM I, XHP 1,7KV | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 1.75 V | 1200 A | 400 nA | PrimePack2 | - 40 C | + 175 C | Tray | ||||
FF225R12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 225 A | 400 nA | 20 mW | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1.2 kV | 1.85 V | 450 A | 400 nA | 20 mW | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FF300R12KS4PHOSA1 | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 3.2 V | 300 A | 400 nA | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
FF300R12KT4PHOSA1 | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.75 V | 300 A | 400 nA | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FP50R12KT4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1200 V | 1.85 V | 50 A | 100 nA | EconoPIM2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FS200R12PT4PBOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 1.2 kV | 1.75 V | 200 A | 100 nA | 20 mW | 130 mm x 103 mm x 20.55 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
IFCM20T65GDXKMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | 2-Phase | 650 V | 1.7 V | 20 A | 1 mA | 52.3 W | MDIP-24 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
IFCM20U65GDXKMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 650 V | 1.7 V | 20 A | 1 mA | 52.3 W | MDIP-24 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
IFCM30T65GDXKMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | 2-Phase | 650 V | 1.75 V | 30 A | 1 mA | 60.4 W | MDIP-24 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
IFCM30U65GDXKMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IFPS MODULES | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 650 V | 1.75 V | 30 A | 1 mA | 60.4 W | MDIP-24 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
IXA70R1200NA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3 (MINI | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 100 A | 500 nA | 350 W | SOT-227B-4 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
NXH160T120L2Q2F2SG | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Split-T | 600 V, 1200 V | 1.47 V, 2.15 V | 100 A, 160 A | 300 nA, 500 nA | 500 W | Q2PACK | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
NXH80T120L2Q0S1G | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | T-Type | 600 V, 1200 V | 1.4 V, 2.05 V | 49 A, 67 A | 200 nA, 300 nA | 158 W | Q0PACK | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
STGIPQ5C60T-HZS | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | SiC | IGBT Silicon Carbide Modules | Half Bridge | 600 V | 2.15 V | 5 A | 13.6 W | N2DIP-26L | - 40 C | + 125 C | |||||
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Нет | SiC | IGBT Silicon Carbide Modules | Dual | 650 V | 1.4 V | 20 A | 100 nA | AG-EASY1B-2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Easy 2B CoolSiC(TM) MOSFET | Нет | SiC | IGBT Silicon Carbide Modules | Dual | 1.2 kV | 1.75 V | 50 A | 100 nA | 20 mW | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
NXH80B120H2Q0SG | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE | Нет | SiC | IGBT Silicon Carbide Modules | Dual | 1200 V | 2.2 V | 40 A | 200 nA | 103 W | Q0BOOST | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A SIC IGBT CoPak | Нет | SiC | IGBT Silicon Carbide Modules | IGBT-Inverter | 1200 V | 1.9 V | 400 nA | SOT-227 | - 40 C | + 175 C | Bulk |