Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGT35H120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3052НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.7 V55 A400 nA208 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT35X120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3074НетIGBT Silicon Modules3-Phase1.2 kV1.7 V55 A400 nA208 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT400A120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7075НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V580 A400 nA2.1 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT400A120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6130НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V560 A600 nA1.785 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT400A60D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7077НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V500 A400 nA1.25 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT400DA120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6097НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V560 A800 nA1.785 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT400DA60D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7097НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V500 A400 nA1.25 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT400DU120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6088НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V560 A800 nA1.785 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT400SK120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6176НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V560 A800 nA1.785 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT400TL65GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6242НетIGBT Silicon Modules650 V1.5 V500 A1.2 uA1.15 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT400U120D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7033НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V650 A600 nA1.785 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGT400U170D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7019НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V800 A400 nA2.08 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGT450A60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6123НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.4 V550 A600 nA1.75 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT450DA60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6197НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.4 V550 A600 nA1.75 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT450SK60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6179НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.4 V550 A600 nA1.75 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT50A120T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8022НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V75 A400 nA277 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT50A170T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8081НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V75 A400 nA312 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT50A170TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4076НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V75 A400 nA312 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT50DA120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4132НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V75 A400 nA277 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT50DDA120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3089НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V75 A400 nA270 WSP3F-32- 40 C+ 125 CTube
APTGT50DDA60T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3175НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V80 A600 nA176 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT50DH120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4090НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V75 A400 nA277 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT50DH170TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4122НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V75 A400 nA312 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT50DH60T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8053НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V80 A600 nA176 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT50DU120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4130НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V75 A400 nA277 WSP4- 40 C+ 100 CTube

Страницы