Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT50H120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3148 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 270 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50H170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4095 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50H60RT3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3126 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50H60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8040 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50H60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3041 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50SK120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4081 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50SK170T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8074 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP-1 | - 40 C | + 150 C | Tube | ||||
APTGT50SK170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4097 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50TA60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6519 | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50TDU170PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6527 | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 1.7 kV | 2 V | 70 A | 400 nA | 310 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50TDU60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6518 | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50TL601G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8047 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT50TL60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3093 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT50X60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3053 | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP-3 | - 40 C | + 175 C | Tube | ||||
APTGT600A60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6080 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.4 V | 700 A | 800 nA | 2.3 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT600DA60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6117 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.4 V | 700 A | 800 nA | 2.3 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT600DU60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6140 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.4 V | 700 A | 800 nA | 2.3 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT600SK60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6082 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.4 V | 700 A | 800 nA | 2.3 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT600U120D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7022 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 900 A | 400 nA | 2.5 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT600U170D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7016 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 1.1 kA | 400 nA | 2.9 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT750U60D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7093 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 1 kA | 3.1 uA | 2.3 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT75A120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8010 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 110 A | 400 nA | 357 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT75A60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8061 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | SP-1 | - 40 C | + 175 C | Tube | ||||
APTGT75DA120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4105 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 110 A | 400 nA | 357 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||
APTGT75DA60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8044 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »