Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGT50H120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3148НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.7 V75 A400 nA270 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT50H170TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4095НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.7 kV2 V75 A400 nA312 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT50H60RT3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3126НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge600 V1.5 V80 A600 nA176 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT50H60T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8040НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge600 V1.5 V80 A600 nA176 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT50H60T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3041НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge600 V1.5 V80 A600 nA176 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT50SK120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4081НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V75 A400 nA277 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT50SK170T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8074НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V75 A400 nA312 WSP-1- 40 C+ 150 CTube
APTGT50SK170TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4097НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V75 A400 nA312 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT50TA60PGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6519НетIGBT Silicon Modules3-Phase600 V1.5 V80 A600 nA176 WSP6-P- 40 C+ 100 CTube
APTGT50TDU170PGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6527НетIGBT Silicon ModulesTriple Dual Common Source1.7 kV2 V70 A400 nA310 WSP6-P- 40 C+ 100 CTube
APTGT50TDU60PGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6518НетIGBT Silicon ModulesTriple Dual Common Source600 V1.5 V80 A600 nA176 WSP6-P- 40 C+ 100 CTube
APTGT50TL601GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8047НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V80 A600 nA176 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT50TL60T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3093НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V80 A600 nA176 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT50X60T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3053НетIGBT Silicon ModulesHex600 V1.5 V80 A600 nA176 WSP-3- 40 C+ 175 CTube
APTGT600A60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6080НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.4 V700 A800 nA2.3 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT600DA60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6117НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.4 V700 A800 nA2.3 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT600DU60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6140НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.4 V700 A800 nA2.3 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT600SK60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6082НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.4 V700 A800 nA2.3 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT600U120D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7022НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V900 A400 nA2.5 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGT600U170D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7016НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V1.1 kA400 nA2.9 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGT750U60D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7093НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V1 kA3.1 uA2.3 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGT75A120T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8010НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V110 A400 nA357 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT75A60T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8061НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V100 A600 nA250 WSP-1- 40 C+ 175 CTube
APTGT75DA120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4105НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V110 A400 nA357 WSP4- 40 C+ 125 CTube
APTGT75DA60T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8044НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V100 A600 nA250 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube

Страницы