Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT50GF120JRDQ3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 50A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 2.5 V | 120 A | 100 nA | 521 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT50GF120LRG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-264, RoHS | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 2.5 V | 135 A | 100 nA | 781 W | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT50GP60JDQ2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 50A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 2.2 V | 100 A | 100 nA | 329 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT50GR120B2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-247 T-MAX | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 3.5 V | 117 A | 250 nA | 694 W | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT50GR120L | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-264 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 3.5 V | 117 A | 250 nA | 694 W | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT50GT120JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0052 | Нет | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 500 nA | 347 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT50GT120JU3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0053 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 500 nA | 347 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT60GA60JD60 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2 V | 112 A | 100 nA | 356 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT60GF120JRDQ3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 60A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 2.5 V | 149 A | 100 nA | 625 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT65GP60JDQ2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 65A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 2.2 V | 130 A | 100 nA | 431 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT75GP120J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 75A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 3.3 V | 128 A | 100 nA | 543 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT75GP120JDQ3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 3.3 V | 128 A | 100 nA | 543 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT75GT120JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0068 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 100 A | 500 nA | 416 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT75GT120JU3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0069 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 100 A | 500 nA | 416 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT80GP60B2G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 80A, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 2.2 V | 100 A | 100 nA | 1.041 kW | T-Max-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT80GP60J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 80A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 2.2 V | 151 A | 100 nA | 462 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT80GP60JDQ3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 80A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 2.2 V | 151 A | 100 nA | 462 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT85GR120B2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 85A, TO-247 T-MAX | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 3.5 V | 170 A | 250 nA | 962 W | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT85GR120J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 85A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 3.5 V | 118 A | 250 nA | 595 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT85GR120JD60 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 85A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 3.5 V | 118 A | 250 nA | 595 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT85GR120L | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 85A, TO-264 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 3.5 V | 170 A | 250 nA | 962 W | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APTCV40H60CT1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8004 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTCV50H60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3133 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGFQ25H120T2G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 1.2 kV | 2.1 V | 40 A | 150 nA | 227 W | SP2 | - 40 C | + 100 C | |||||
APTGL120TA120TPG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6529 | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1.2 kV | 1.8 V | 140 A | 600 nA | 517 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »