Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APT50GF120JRDQ3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 50A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV2.5 V120 A100 nA521 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT50GF120LRGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-264, RoHSНетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle1.2 kV2.5 V135 A100 nA781 WTO-264-3- 55 C+ 150 CTube
APT50GP60JDQ2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 50A, SOT-227НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V2.2 V100 A100 nA329 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT50GR120B2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-247 T-MAXНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV3.5 V117 A250 nA694 WTO-247-3- 55 C+ 150 CTube
APT50GR120LMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-264НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV3.5 V117 A250 nA694 WTO-264-3- 55 C+ 150 CTube
APT50GT120JU2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0052НетSingle1.2 kV1.7 V75 A500 nA347 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT50GT120JU3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0053НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V75 A500 nA347 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT60GA60JD60Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227НетIGBT Silicon Modules600 V2 V112 A100 nA356 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT60GF120JRDQ3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 60A, SOT-227НетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle1.2 kV2.5 V149 A100 nA625 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT65GP60JDQ2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 65A, SOT-227НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V2.2 V130 A100 nA431 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT75GP120JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 75A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV3.3 V128 A100 nA543 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT75GP120JDQ3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV3.3 V128 A100 nA543 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT75GT120JU2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0068НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V100 A500 nA416 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT75GT120JU3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0069НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V100 A500 nA416 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT80GP60B2GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 80A, TO-247 T-MAX, RoHSНетIGBT Silicon ModulesSingle600 V2.2 V100 A100 nA1.041 kWT-Max-3- 55 C+ 150 CTube
APT80GP60JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 80A, SOT-227НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V2.2 V151 A100 nA462 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT80GP60JDQ3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 80A, SOT-227НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V2.2 V151 A100 nA462 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT85GR120B2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 85A, TO-247 T-MAXНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV3.5 V170 A250 nA962 WTO-247-3- 55 C+ 150 CTube
APT85GR120JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 85A, SOT-227НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV3.5 V118 A250 nA595 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT85GR120JD60Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 85A, SOT-227НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV3.5 V118 A250 nA595 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
APT85GR120LMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 85A, TO-264НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV3.5 V170 A250 nA962 WTO-264-3- 55 C+ 150 CTube
APTCV40H60CT1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8004НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge600 V1.5 V80 A600 nA176 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTCV50H60T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3133НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge600 V1.5 V80 A600 nA176 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGFQ25H120T2GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBTНетIGBT Silicon ModulesQuad1.2 kV2.1 V40 A150 nA227 WSP2- 40 C+ 100 C
APTGL120TA120TPGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6529НетIGBT Silicon Modules3-Phase1.2 kV1.8 V140 A600 nA517 WSP6- 40 C+ 100 CTube

Страницы