Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGT100TL170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6205НетIGBT Silicon Modules1.7 kV2 V150 A500 nA560 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT100TL60T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3081НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V150 A400 nA340 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT150A120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6111НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V220 A400 nA690 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150A120T3AGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3066НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V220 A400 nA833 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT150A120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4022НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V220 A400 nA690 WSP4- 40 C+ 125 CTube
APTGT150A60T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8063НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V225 A400 nA480 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT150A60T3AGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3129НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V225 A400 nA600 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT150DA60T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8065НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V225 A400 nA480 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT150DH120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6245НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V220 A400 nA690 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150DH170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6174НетTube
APTGT150DH60TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4108НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V225 A400 nA480 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT150DU120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6200НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V220 A400 nA690 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150DU120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4104НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V220 A400 nA690 WSP4- 40 C+ 125 CTube
APTGT150H120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6104НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.7 V220 A400 nA690 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150H170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBTНетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.7 kV2 V250 A600 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150H60TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4085НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge600 V1.5 V225 A400 nA480 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT150SK120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6194НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V220 A400 nA690 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150SK170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6128НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V250 A600 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150SK60T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8089НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V225 A400 nA480 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT150TA60PGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6507НетIGBT Silicon Modules3-Phase600 V1.5 V225 A400 nA480 WSP6-P- 40 C+ 100 CTube
APTGT150TDU60PGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6514НетIGBT Silicon ModulesTriple Dual Common Source600 V1.5 V225 A400 nA480 WSP6-P- 40 C+ 100 CTube
APTGT150TL60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6188НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V200 A400 nA480 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200A120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7014НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V300 A400 nA1.05 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT200A120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6105НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V280 A500 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200A170D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7088НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V310 A400 nA1.25 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk

Страницы