Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT100TL170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6205 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 500 nA | 560 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT100TL60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3081 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT150A120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6111 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150A120T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3066 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 833 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150A120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4022 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||
APTGT150A60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8063 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150A60T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3129 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 600 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150DA60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8065 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150DH120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6245 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150DH170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6174 | Нет | Tube | ||||||||||||||
APTGT150DH60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4108 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150DU120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6200 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150DU120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4104 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||
APTGT150H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6104 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150H170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.7 kV | 2 V | 250 A | 600 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150H60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4085 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150SK120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6194 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150SK170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6128 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 250 A | 600 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150SK60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8089 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150TA60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6507 | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150TDU60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6514 | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150TL60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6188 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 200 A | 400 nA | 480 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT200A120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7014 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 300 A | 400 nA | 1.05 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT200A120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6105 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200A170D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7088 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 310 A | 400 nA | 1.25 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »