Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT300A60D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7085 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 400 A | 400 nA | 940 W | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300A60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6153 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300A60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4109 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 430 A | 500 nA | 935 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300DA120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6187 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 420 A | 600 nA | 1.38 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300DA170D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7010 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 400 nA | 1.47 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300DA170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6175 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 600 nA | 1.66 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300DA60D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7096 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 400 A | 400 nA | 940 W | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300DA60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6196 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300DH60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6146 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300DU120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6056 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 420 A | 600 nA | 1.38 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300DU170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6071 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 600 nA | 1.66 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300DU60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6113 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300H60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6107 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300SK120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6120 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 420 A | 600 nA | 1.38 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300SK170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6132 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 600 nA | 1.66 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300SK60D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7080 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 400 A | 400 nA | 940 W | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300SK60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6165 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300TL60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6182 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 400 A | 800 nA | 935 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT300TL65G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6220 | Нет | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.5 V | 400 A | 800 nA | 935 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT30A170T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8030 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 45 A | 600 nA | 210 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT30H170T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3010 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.7 kV | 2 V | 45 A | 600 nA | 210 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT30H60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8008 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 50 A | 300 nA | 90 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT30TL601G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8073 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 50 A | 300 nA | 90 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT30X60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3077 | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.5 V | 50 A | 300 nA | 90 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT35A120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Trench Field Stop 1200V 55A 208W | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 55 A | 400 nA | 208 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »