Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGT300A60D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7085НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V400 A400 nA940 WD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT300A60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6153НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.4 V430 A500 nA1.15 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300A60TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4109НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V430 A500 nA935 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT300DA120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6187НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V420 A600 nA1.38 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300DA170D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7010НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V400 A400 nA1.47 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT300DA170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6175НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V400 A600 nA1.66 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300DA60D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7096НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V400 A400 nA940 WD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT300DA60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6196НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.4 V430 A500 nA1.15 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300DH60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6146НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.4 V430 A500 nA1.15 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300DU120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6056НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V420 A600 nA1.38 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300DU170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6071НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V400 A600 nA1.66 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300DU60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6113НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.4 V430 A500 nA1.15 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300H60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6107НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge600 V1.4 V430 A500 nA1.15 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300SK120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6120НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V420 A600 nA1.38 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300SK170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6132НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V400 A600 nA1.66 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300SK60D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7080НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V400 A400 nA940 WD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT300SK60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6165НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.4 V430 A500 nA1.15 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300TL60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6182НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V400 A800 nA935 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300TL65GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6220НетIGBT Silicon Modules650 V1.5 V400 A800 nA935 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT30A170T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8030НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V45 A600 nA210 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT30H170T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3010НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.7 kV2 V45 A600 nA210 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT30H60T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8008НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge600 V1.5 V50 A300 nA90 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT30TL601GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8073НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V50 A300 nA90 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT30X60T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3077НетIGBT Silicon Modules3-Phase600 V1.5 V50 A300 nA90 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT35A120T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Trench Field Stop 1200V 55A 208WНетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V55 A400 nA208 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube

Страницы