Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGLQ300H65G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6229 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 650 V | 1.85 V | 385 A | 500 nA | 1 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGLQ400A120T6G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6230 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 2.05 V | 625 A | 680 nA | 1.9 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGLQ40H120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8102 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 2.05 V | 75 A | 120 nA | 250 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGLQ600A65T6G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6231 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.85 V | 770 A | 1 uA | 2 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGLQ75H120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3167 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 2.05 V | 130 A | 150 nA | 385 W | SP1-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGLQ75H65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8103 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 650 V | 1.85 V | 100 A | 200 nA | 250 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100A120T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3135 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 595 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100A120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4101 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100A170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4094 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 400 nA | 560 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100A60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8013 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100BB60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3152 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP3F-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100DA120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8079 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100DA60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8064 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100DH120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4080 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100DH60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4084 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100DU120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4121 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100DU170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4127 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 400 nA | 560 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100DU60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4123 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6073 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100H170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6115 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 500 nA | 560 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100H60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3006 | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP-3 | - 40 C | + 175 C | Tube | ||||
APTGT100H60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4102 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100SK170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4098 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 400 nA | 560 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100TA120TPG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6536 | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100TDU60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6512 | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »