Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
MWI30-06A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesHex600 V600 V45 A200 nA140 WE2-18- 40 C+ 150 CBulk
MWI50-12A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V85 AE2- 40 C+ 150 CBulk
MWI75-06A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesHex600 V90 AE2- 40 C+ 150 CBulk
VII130-06P1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 130 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesDual600 V121 AECO-PAC 2- 40 C+ 150 CBulk
VS-ETF075Y60UVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75A Half Bridge 3 Level InverterНетIGBT Silicon ModulesDual600 V109 A200 nA, 400 nA294 W- 40 C+ 150 C
VS-ETF150Y65NVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-BridgeНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge650 V1.7 V201 A600 nA600 WEMIPAK-2B+ 175 CTube
VS-ETF150Y65UVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - EMIPAK SWITCHНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge650 V1.72 V, 1.75 V142 A, 201 A600 nA417 W, 600 WEMIPAK-2B+ 175 C
VS-GB100YG120NTVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SW Mod - ECONO IGBTНетIGBT Silicon Modules4-Pack1200 V127 A440 nA625 WECONO3- 55 C+ 150 CBulk
VS-GB150YG120NTVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SW Mod - ECONO IGBTНетIGBT Silicon Modules4-Pack1200 V182 A440 nA892 WECONO3- 55 C+ 150 CBulk
VS-50MT060WHTAPBFVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 50 Amp Half BridgeНетIGBT Silicon ModulesTube
VS-70MT060WHTAPBFVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 70 Amp Warp2 Speed IGBTНетIGBT Silicon ModulesDual600 V100 AMTP- 40 C+ 150 CBulk
VS-GA75TS120UPBFVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 110 Amp 1200 Volt Half-BridgeНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V110 AINT-A-PAK- 40 C+ 150 CBulk
VS-GB75YF120NVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 75 AmpНетIGBT Silicon ModulesQuad1200 V100 AECONO2 4PAK+ 150 CBulk
FAM65CR51DZ2ON SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CDA PFC SF3 F RFETНетIGBT Silicon ModulesDual160 WAPMCD-B16-12- 40 C+ 125 CTube
FAM65HR51DS2ON SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CAA H-BRIDGE SF3НетIGBT Silicon ModulesQuad135 WAPMCA-B16-16- 40 C+ 125 CTube
NXH160T120L2Q2F2SGON SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBTНетIGBT Silicon ModulesSplit-T600 V, 1200 V1.47 V, 2.15 V100 A, 160 A300 nA, 500 nA500 WQ2PACK- 40 C+ 125 CTray

Страницы