Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXA70R1200NA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3 (MINI | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 100 A | 500 nA | 350 W | SOT-227B-4 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||
IXGA20N120B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.7 V | 36 A | 100 nA | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGH12N120A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.4 V | 22 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGH30N120C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 3.6 V | 48 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGH30N60C3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 60 A | 100 nA | 220 W | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGH48N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 100 nA | 300 W | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
IXGH56N60B3D1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.49 V | 350 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGH60N60C3D1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 75 A | 100 nA | 380 W | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
IXGH64N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.59 V | 400 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGK50N120C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.6 V | 95 A | 100 nA | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGK55N120A3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 125 A | 100 nA | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGN400N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range PT IGBTs | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.25 V | 430 A | 400 nA | SOT-227B-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGP12N120A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.4 V | 22 A | 100 nA | TO-220AB-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGR55N120A3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.2 V | 70 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGR6N170A | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Voltage IGBTs | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 5.4 V | 5.5 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGR72N60B3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 80 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXGT72N60A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.35 V | 75 A | 100 nA | TO-268-3 | - 55 C | + 150 C | Bulk | |||
IXGX50N120C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.6 V | 95 A | 100 nA | PLUS247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXRB5-506MINIPACK2 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MiniPack 2 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Bulk | |||||||||||
IXXN110N65C4H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single Dual Emitter | 650 V | 1.98 V | 210 A | 100 nA | 750 W | SOT-227B-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | ||
IXXN200N60C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT 600V IGBT 98A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.6 V | 200 A | 200 nA | SOT-227B-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
IXYN30N170CV1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V/85A High Voltage XPT IGBT | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single Dual Emitter | 1700 V | 3 V | 88 A | 100 nA | 680 W | SOT-227B | - 55 C | + 175 C | Tube | ||
IXYN80N90C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 900V 70A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 900 V | 2.7 V | 115 A | 100 nA | SOT-227 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
MDI100-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 135 A | 300 nA | 560 W | Y4-M5-7 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||
MDI145-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 145 Amps 1200V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 160 A | 400 nA | 700 W | Y4-M5-7 | - 40 C | + 125 C | Bulk |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »