Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
IXA70R1200NAIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3 (MINIНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V100 A500 nA350 WSOT-227B-4- 40 C+ 125 CTube
IXGA20N120B3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTsДаIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV2.7 V36 A100 nATO-263-3- 55 C+ 150 CTube
IXGH12N120A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTsНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV2.4 V22 A100 nATO-247AD-3- 55 C+ 150 CTube
IXGH30N120C3H1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/DiodeНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV3.6 V48 A100 nATO-247AD-3- 55 C+ 150 CTube
IXGH30N60C3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesSingle600 V60 A100 nA220 WTO-247AD-3- 55 C+ 150 CTube
IXGH48N60B3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesSingle600 V100 nA300 WTO-247AD-3- 55 C+ 150 CTube
IXGH56N60B3D1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ DiodeНетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.49 V350 A100 nATO-247AD-3- 55 C+ 150 CTube
IXGH60N60C3D1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600VНетIGBT Silicon Modules600 V75 A100 nA380 WTO-247AD-3- 55 C+ 150 CTube
IXGH64N60B3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTsДаIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.59 V400 A100 nATO-247AD-3- 55 C+ 150 CTube
IXGK50N120C3H1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/DiodeНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV2.6 V95 A100 nATO-264-3- 55 C+ 150 CTube
IXGK55N120A3H1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ DiodeДаIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.85 V125 A100 nATO-264-3- 55 C+ 150 CTube
IXGN400N60B3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range PT IGBTsНетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.25 V430 A400 nASOT-227B-4- 55 C+ 150 CTube
IXGP12N120A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTsДаIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV2.4 V22 A100 nATO-220AB-3- 55 C+ 150 CTube
IXGR55N120A3H1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/DiodeНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV2.2 V70 A100 nATO-247AD-3- 55 C+ 150 CTube
IXGR6N170AIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Voltage IGBTsНетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV5.4 V5.5 A100 nATO-247AD-3- 55 C+ 150 CTube
IXGR72N60B3H1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ DiodeНетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V80 A100 nATO-247AD-3- 55 C+ 150 CTube
IXGT72N60A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTsДаIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.35 V75 A100 nATO-268-3- 55 C+ 150 CBulk
IXGX50N120C3H1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/DiodeНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV2.6 V95 A100 nAPLUS247-3- 55 C+ 150 CTube
IXRB5-506MINIPACK2IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MiniPack 2НетIGBT Silicon ModulesBulk
IXXN110N65C4H1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPTНетIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter650 V1.98 V210 A100 nA750 WSOT-227B-4- 55 C+ 175 CTube
IXXN200N60C3H1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT 600V IGBT 98AНетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.6 V200 A200 nASOT-227B-4- 55 C+ 150 CTube
IXYN30N170CV1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V/85A High Voltage XPT IGBTНетIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter1700 V3 V88 A100 nA680 WSOT-227B- 55 C+ 175 CTube
IXYN80N90C3H1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 900V 70A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ DiodeНетIGBT Silicon ModulesSingle900 V2.7 V115 A100 nASOT-227- 55 C+ 150 CTube
MDI100-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV135 A300 nA560 WY4-M5-7- 40 C+ 125 CBulk
MDI145-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 145 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV160 A400 nA700 WY4-M5-7- 40 C+ 125 CBulk

Страницы