Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS75R12KT3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.15 V | 100 A | 400 nA | 455 W | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS75R12W2T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 107 A | 100 nA | 375 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FS75R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 130A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1700 V | 130 A | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS800R07A2E3_B31 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 2 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.4 V | 800 A | 400 nA | 1.5 kW | HybirdPack2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FT150R12KE3G_B4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Triple | 1200 V | 200 A | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | ||||||
FZ1000R33HL3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1KA | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 3300 V | 1000 A | IHVB130 | - 50 C | + 150 C | Tray | |||||
FZ1500R33HL3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1.5KA | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Triple | 3300 V | 1500 A | IHVB190 | - 50 C | + 150 C | Tray | |||||
FZ1600R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 2.3KA | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2300 A | IHM130 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FZ300R12KE3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 1.7 V | 480 A | 400 nA | 1450 W | EUPEC | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FZ3600R12HP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MOD SOFT SWITCH 3600A 1200V 19KW | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Tray | |||||||||||
FZ3600R17HP4_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 3600A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2.25 V | 3600 A | 400 nA | 21 kW | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FZ400R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 1.7 V | 650 A | 400 nA | 2250 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FZ400R12KE3B1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 650A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single Dual Collector Dual Emitter | 1200 V | 650 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FZ400R12KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 400A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.75 V | 400 A | 400 nA | 2400 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FZ400R12KP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 400A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.05 V | 400 A | 400 nA | 2400 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FZ400R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-Module/ IGBT-inverter | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single Dual Emitter | 1200 V | 510 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FZ400R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 620A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single Dual Emitter | 1700 V | 620 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FZ400R33KL2C_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 750A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single Dual Collector Dual Emitter | 3300 V | 750 A | IHV73 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FZ600R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 600A SINGLE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 1.7 V | 900 A | 400 nA | 2.8 kW | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FZ600R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 700A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 3.2 V | 700 A | 400 nA | 3900 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FZ600R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.07KA | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.45 V | 1070 A | 400 nA | 3150 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FZ800R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 800 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FZ800R33KF2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 800A SINGLE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 3300 V | 3.4 V | 1300 A | 400 nA | 9.6 kW | IHM | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FZ900R12KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 900A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | 900 A | 400 nA | 4300 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
IFS200V12PT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MIPAQ SERVE 1200V 200A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 1200 V | 2.1 V | - 40 C | + 65 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- следующая ›
- последняя »