Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FS75R12KT3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.15 V100 A400 nA455 WEcono 3- 40 C+ 125 CTray
FS75R12W2T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75AНетIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V107 A100 nA375 W- 40 C+ 150 CTray
FS75R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 130AДаIGBT Silicon ModulesHex1700 V130 AEcono 3- 40 C+ 125 CTray
FS800R07A2E3_B31Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 2НетIGBT Silicon ModulesSingle650 V1.4 V800 A400 nA1.5 kWHybirdPack2- 40 C+ 150 CTray
FT150R12KE3G_B4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200AДаIGBT Silicon ModulesTriple1200 V200 AEcono 3- 40 C+ 125 C
FZ1000R33HL3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1KAДаIGBT Silicon ModulesDual3300 V1000 AIHVB130- 50 C+ 150 CTray
FZ1500R33HL3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1.5KAДаIGBT Silicon ModulesTriple3300 V1500 AIHVB190- 50 C+ 150 CTray
FZ1600R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 2.3KAДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V2300 AIHM130- 40 C+ 125 CTray
FZ300R12KE3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLEДаIGBT Silicon ModulesSingle1200 V1.7 V480 A400 nA1450 WEUPEC- 40 C+ 125 CTray
FZ3600R12HP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MOD SOFT SWITCH 3600A 1200V 19KWНетIGBT Silicon ModulesTray
FZ3600R17HP4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 3600AНетIGBT Silicon Modules1700 V2.25 V3600 A400 nA21 kW- 40 C+ 150 CTray
FZ400R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLEДаIGBT Silicon ModulesSingle1200 V1.7 V650 A400 nA2250 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
FZ400R12KE3B1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 650AДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Collector Dual Emitter1200 V650 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
FZ400R12KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 400AНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.75 V400 A400 nA2400 WModule- 40 C+ 150 CTray
FZ400R12KP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 400AНетIGBT Silicon Modules1200 V2.05 V400 A400 nA2400 W- 40 C+ 150 CTray
FZ400R12KS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-Module/ IGBT-inverterНетIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter1200 V510 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
FZ400R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 620AНетIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter1700 V620 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
FZ400R33KL2C_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 750AДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Collector Dual Emitter3300 V750 AIHV73- 40 C+ 125 CTray
FZ600R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 600A SINGLEНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V1.7 V900 A400 nA2.8 kW62 mm- 40 C+ 125 CTray
FZ600R12KS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 700AНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V3.2 V700 A400 nA3900 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
FZ600R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.07KAНетIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.45 V1070 A400 nA3150 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
FZ800R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800AНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V800 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
FZ800R33KF2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 800A SINGLEДаIGBT Silicon ModulesSingle3300 V3.4 V1300 A400 nA9.6 kWIHM- 40 C+ 125 CTray
FZ900R12KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 900AНетIGBT Silicon Modules1200 V2.1 V900 A400 nA4300 W- 40 C+ 150 CTray
IFS200V12PT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MIPAQ SERVE 1200V 200AНетIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter1200 V2.1 V- 40 C+ 65 CTray

Страницы