Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FS15R12VT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 24AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V24 AEASY750- 40 C+ 125 CTray
FS15R12YT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V25 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FS200R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ECONO PACK 3 200A, 600VНетIGBT Silicon ModulesHex600 V200 AEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FS200R07PE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650VНетIGBT Silicon Modules650 V1.95 V200 A400 nA600 W- 40 C+ 150 CTray
FS200R12PT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoPACK4 200A 1200VНетIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V280 A400 nA1000 W- 40 C+ 150 CTray
FS20R06VE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter600 V1.55 V25 A400 nA71.5 WModule- 40 C+ 150 CTray
FS20R06VE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesHex600 V25 AEASY750- 40 C+ 150 CTray
FS20R06W1E3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 35AНетIGBT Silicon ModulesHex600 V2 V35 A400 nA135 WEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FS20R06XE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26AДаIGBT Silicon ModulesTray
FS225R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 225A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.7 V325 A400 nA1.15 kWEconoPACK+- 40 C+ 125 CTray
FS225R12KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V320 AEconoPP- 40 C+ 150 CTray
FS25R12KE3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V40 AEcono 2- 40 C+ 125 CTray
FS25R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V40 AEcono 2- 40 C+ 125 CTray
FS25R12W1T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 45AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V45 AEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FS25R12YT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V40 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FS300R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.7 V500 A400 nA1450 WEconoPACK+- 40 C+ 125 CTray
FS300R12KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 450AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V450 AEconoPP- 40 C+ 150 CTray
FS300R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 300A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1700 V2.45 V375 A400 nA1650 WEconoPACK+- 40 C+ 125 CTray
FS30R06VE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesHex600 V34 AEASY750- 40 C+ 150 CTray
FS30R06W1E3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 45AНетIGBT Silicon ModulesHex600 V2 V45 A400 nA150 WEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FS30R06XE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37AНетIGBT Silicon ModulesHex600 V37 AEASY1- 40 C+ 150 CTray
FS30R06XL4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULEНетIGBT Silicon ModulesHex600 V35 AEASY1- 40 C+ 125 CTray
FS35R12KE3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.15 V55 A400 nA200 WEconoPACK 2B- 40 C+ 125 CTray
FS35R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V55 AEcono 2- 40 C+ 125 CTray
FS35R12W1T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 65AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V65 AEASY1B- 40 C+ 150 CTray

Страницы