Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS15R12VT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 24A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 24 A | EASY750 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS15R12YT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 25 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS200R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ECONO PACK 3 200A, 600V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 200 A | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS200R07PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.95 V | 200 A | 400 nA | 600 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FS200R12PT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoPACK4 200A 1200V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 280 A | 400 nA | 1000 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FS20R06VE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 600 V | 1.55 V | 25 A | 400 nA | 71.5 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS20R06VE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 25 A | EASY750 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS20R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 35A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 2 V | 35 A | 400 nA | 135 W | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS20R06XE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Tray | |||||||||||
FS225R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 225A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.7 V | 325 A | 400 nA | 1.15 kW | EconoPACK+ | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS225R12KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 320 A | EconoPP | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS25R12KE3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 40 A | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS25R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 40 A | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS25R12W1T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 45A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 45 A | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS25R12YT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 40 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS300R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.7 V | 500 A | 400 nA | 1450 W | EconoPACK+ | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS300R12KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 450A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 450 A | EconoPP | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS300R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 300A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1700 V | 2.45 V | 375 A | 400 nA | 1650 W | EconoPACK+ | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS30R06VE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 34 A | EASY750 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS30R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 45A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 2 V | 45 A | 400 nA | 150 W | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS30R06XE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 37 A | EASY1 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS30R06XL4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 35 A | EASY1 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS35R12KE3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.15 V | 55 A | 400 nA | 200 W | EconoPACK 2B | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS35R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 55 A | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS35R12W1T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 65A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 65 A | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- …
- следующая ›
- последняя »