Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FP75R12KT4_B15Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75AДаIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V75 A100 nA385 W- 40 C+ 150 CTray
FS100R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ECONO PACK 3 WITH FAST TRENCHНетIGBT Silicon ModulesHex600 V1.9 V100 A400 nA335 WEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FS100R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.15 V140 A400 nA480 WEconoPACK 3B- 40 C+ 125 CTray
FS100R12KS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V3.2 V130 A400 nA660 WEconoPACK 3A- 40 C+ 125 CTray
FS100R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 140AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V140 AEcono 3- 40 C+ 125 CTray
FS100R12KT4GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.2 V100 A100 nA515 WEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FS100R12KT4G_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V100 AEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FS100R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 145AДаIGBT Silicon ModulesHex1700 V145 AEcono 3- 40 C+ 125 CTray
FS10R06VE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16AДаIGBT Silicon ModulesHex600 V2 V16 A400 nA50 WEASY750- 40 C+ 150 CTray
FS10R06VE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASYPACK 750 15.0A 1.55VДаIGBT Silicon ModulesHex600 V16 AEasyPACK750- 40 C+ 150 CTray
FS10R06VL4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16AДаIGBT Silicon ModulesHex600 V16 AEASY750- 40 C+ 125 CTray
FS10R12VT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V16 AEASY750- 40 C+ 125 CTray
FS10R12YE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16AДаIGBT Silicon ModulesTray
FS150R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 600VНетIGBT Silicon ModulesHex600 V1.9 V150 A400 nA430 WEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FS150R07N3E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650VНетIGBT Silicon Modules650 V1.95 V150 A400 nA430 W- 40 C+ 150 CTray
FS150R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A FL BRIDGEНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.7 V205 A400 nA700 WEconoPACK- 40 C+ 125 CTray
FS150R12KE3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.7 V200 A400 nA695 WEconoPACK+- 40 C+ 125 CTray
FS150R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.15 V200 A400 nA700 WEcono 3- 40 C+ 125 CTray
FS150R12KT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE 1200V, 150AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V150 AEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FS150R12KT4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 150AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V150 AEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FS150R12KT4_B9Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 1700VНетIGBT Silicon Modules1200 V2.1 V150 A100 nA750 W- 40 C+ 150 CTray
FS150R17PE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 150AДаIGBT Silicon Modules1700 V1.95 V150 A100 nA835 WEconoPACK- 40 C+ 125 CTray
FS15R06VE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter600 V1.55 V22 A400 nA65 WModule- 40 C+ 150 CTray
FS15R06XE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 22AДаIGBT Silicon ModulesHex600 V22 AEASY1- 40 C+ 150 CTray
FS15R06XL4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 20AНетIGBT Silicon ModulesHex600 V20 AEASY1- 40 C+ 125 CTray

Страницы