Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FP75R12KT4_B15 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 75 A | 100 nA | 385 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FS100R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ECONO PACK 3 WITH FAST TRENCH | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 1.9 V | 100 A | 400 nA | 335 W | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS100R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.15 V | 140 A | 400 nA | 480 W | EconoPACK 3B | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS100R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 3.2 V | 130 A | 400 nA | 660 W | EconoPACK 3A | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS100R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 140A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 140 A | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS100R12KT4G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.2 V | 100 A | 100 nA | 515 W | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS100R12KT4G_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 100 A | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS100R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 145A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1700 V | 145 A | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS10R06VE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 2 V | 16 A | 400 nA | 50 W | EASY750 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS10R06VE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASYPACK 750 15.0A 1.55V | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 16 A | EasyPACK750 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS10R06VL4_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 16 A | EASY750 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS10R12VT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 16 A | EASY750 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS10R12YE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Tray | |||||||||||
FS150R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 600V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 1.9 V | 150 A | 400 nA | 430 W | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS150R07N3E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.95 V | 150 A | 400 nA | 430 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FS150R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A FL BRIDGE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.7 V | 205 A | 400 nA | 700 W | EconoPACK | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS150R12KE3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.7 V | 200 A | 400 nA | 695 W | EconoPACK+ | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS150R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.15 V | 200 A | 400 nA | 700 W | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
FS150R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE 1200V, 150A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 150 A | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS150R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 150A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 150 A | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS150R12KT4_B9 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 1700V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | 150 A | 100 nA | 750 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FS150R17PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 150A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 1.95 V | 150 A | 100 nA | 835 W | EconoPACK | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
FS15R06VE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 600 V | 1.55 V | 22 A | 400 nA | 65 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
FS15R06XE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 22A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 22 A | EASY1 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS15R06XL4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 20A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 20 A | EASY1 | - 40 C | + 125 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- …
- следующая ›
- последняя »