Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
2PS18012E44G38553NOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPMДаIGBT Silicon Modules1200 V- 25 C+ 60 CTray
2PS12017E34W32132NOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPMДаIGBT Silicon Modules2.4 VA-PS4-1- 25 C+ 55 CTray
2PS13512E43W35222NOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPMДаIGBT Silicon Modules2.05 V- 25 C+ 55 CTray
6MS24017E33W32859NOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPMДаIGBT Silicon Modules2.4 V- 25 C+ 55 CTray
6MS24017E33W32860NOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPMДаIGBT Silicon Modules2.4 V- 25 C+ 55 CTray
6MS30017E43W34404NOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPMДаIGBT Silicon Modules1700 V- 25 C+ 55 CTray
F3L25R12W1T4B27BOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASYНетIGBT Silicon Modules3-Phase1200 V1.85 V25 A100 nA215 WEasyPack1B- 40 C+ 150 CTray
FF1200R17IP5BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PP, IHM I, XHP 1,7KVНетIGBT Silicon ModulesDual1700 V1.75 V1200 A400 nAPrimePack2- 40 C+ 175 CTray
FF225R12ME4PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONOНетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V225 A400 nA20 mW152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm- 40 C+ 150 CTray
FF225R12ME4PBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONOНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1.2 kV1.85 V450 A400 nA20 mWModule- 40 C+ 150 CTray
FF300R12KS4PHOSA1Infineon / IRМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MMНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V3.2 V300 A400 nA62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF300R12KT4PHOSA1Infineon / IRМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MMНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.75 V300 A400 nA62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF450R12ME4EB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesCommon Emitter1200 V1.75 V450 A400 nA20 mW152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm- 40 C+ 150 CTray
FF450R33T3E3BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XHP 3 3300V dual IGBT module with IGBT3 and Emitter Controlled 3 Diode - Designed for flexibility and reliability!НетIGBT Silicon ModulesDual3300 V2.5 V450 A400 nAAG-XHP100-3- 40 C+ 150 CTray
FF600R12ME4EB11BOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesCommon Emitter1200 V1.75 V600 A400 nA20 mW152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm- 40 C+ 150 CTray
FP10R12W1T7B11BOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesPIM1200 V1.6 V10 A100 nAAG-EASY1B-2- 40 C+ 175 CTray
FP150R12KT4_B11Infineon / IRМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.75 V150 A100 nA20 mWEconoPIM 3- 40 C+ 150 CTray
FP150R12KT4Infineon / IRМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.75 V150 A100 nA20 mWEconoPIM 3- 40 C+ 150 CTray
FP150R12KT4PInfineon / IRМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.75 V150 A100 nA20 mWEconoPIM 3- 40 C+ 150 CTray
FP150R12KT4P_B11Infineon / IRМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.75 V150 A100 nA20 mWEconoPIM 3- 40 C+ 150 CTray
FP25R12W1T7B11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module with TRENCHSTOP IGBT7НетIGBT Silicon ModulesPIM1200 V1.6 V25 A100 nAAG-EASY1B-2- 40 C+ 175 CTray
FP50R12KT4PBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONOНетIGBT Silicon Modules3-Phase1200 V1.85 V50 A100 nAEconoPIM2- 40 C+ 150 CTray
FS100R12PT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3 PHASE POWER BRIDGEНетIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V135 A100 nA500 W- 40 C+ 150 CTray
FS100R12W2T7B11BOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon Modules6-Pack1200 V1.5 V70 A100 nAAG-EASY2B-2- 40 C+ 175 CTray
FS200R12PT4PBOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONOНетIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter1.2 kV1.75 V200 A100 nA20 mW130 mm x 103 mm x 20.55 mm- 40 C+ 150 CTray

Страницы