Всего результатов: 1824
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 20 V | - 55 C | + 150 C | STGB19NC60KDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
STGB20H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT | Да | Si | STGB20H60DF | ||||||||||||||
STGB20M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.55 V | 20 V | 40 A | 166 W | - 55 C | + 175 C | STGB20M65DF2 | ||||
STGB20N40LZ | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 425 V | 1.5 V | 16 V | 150 W | - 55 C | + 175 C | STGB20N40LZ | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB20N45LZAG | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | 450 V | 1.25 V | 16 V | 25 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | STGB20N45LZAG | AEC-Q101 | ||||
STGB20NB41LZT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 20 V | 2 V | 12 V | 40 A | 200 W | - 55 C | + 150 C | STGB20NB41LZ | AEC-Q101 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||
STGB20NC60V | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 A 600V FAST IGBT | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.8 V | 20 V | 60 A | 200 W | - 55 C | + 150 C | STGB20NC60V | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB20V60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.8 V | 20 V | 40 A | 167 W | - 55 C | + 175 C | STGB20V60DF | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB20V60F | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed | Нет | Si | D2PAK | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.8 V | 20 V | 40 A | 167 W | - 55 C | + 175 C | STGB20V60F | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB25N40LZAG | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | 400 V | 1.25 V | 16 V | 25 A | 150 W | - 55 C | + 175 C | STGB25N40LZAG | AEC-Q101 | ||||
STGB30H60DFB | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.55 V | 20 V | 60 A | 260 W | - 55 C | + 175 C | STGB30H60DFB | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.55 V | 20 V | 60 A | 260 W | - 55 C | + 175 C | STGB30H60DLFB | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB30H60DLLFBAG | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed | Да | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.7 V | 20 V | 30 A | 260 W | - 55 C | + 175 C | STGB30H60DLLFBAG | AEC-Q101 | |||
STGB30H65FB | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package | Да | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.55 V | 20 V | 60 A | 260 W | - 55 C | + 175 C | STGB30H65FB | ||||
STGB30M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss | Нет | Si | STGB30M65DF2 | Cut Tape, Reel | |||||||||||||
STGB30V60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.85 V | 20 V | 60 A | 258 W | - 55 C | + 175 C | STGB30V60DF | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB30V60F | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.85 V | 20 V | 60 A | 260 W | - 55 C | + 175 C | STGB30V60F | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast | Нет | Si | D2PAK | SMD/SMT | 1200 V | 2.3 V | 20 V | 14 A | 75 W | STGB3NC120HD | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
STGB40H65FB | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 80 A | 283 W | - 55 C | + 175 C | STGB40H65FB | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB40V60F | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed | Нет | Si | D2PAK | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.8 V | 20 V | 80 A | 283 W | - 55 C | + 175 C | STGB40V60F | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB4M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.6 V | 20 V | 8 A | 68 W | - 55 C | + 175 C | STGB4M65DF2 | ||||
STGB5H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 1.5 V | 20 V | 10 A | 88 W | - 55 C | + 175 C | STGB5H60DF | Cut Tape, MouseReel, Reel | |||
STGB6M65DF2 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 650 V | 1.55 V | 20 V | 12 A | 88 W | - 55 C | + 175 C | STGB6M65DF2 | ||||
STGB6NC60HDT4 | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBT | Нет | Si | D2PAK-3 | SMD/SMT | Single | 600 V | 2.7 V | 20 V | 80 W | - 55 C | + 150 C | STGB6NC60HDT4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||
STGB7H60DF | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed | Нет | Si | STGB7H60DF |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »