Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBTНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB19NC60KDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB20H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTДаSiSTGB20H60DF
STGB20M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low lossНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.55 V20 V40 A166 W- 55 C+ 175 CSTGB20M65DF2
STGB20N40LZSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 390V IGBT EAS 300mJ Internally ClampedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle425 V1.5 V16 V150 W- 55 C+ 175 CSTGB20N40LZAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiD2PAK-3SMD/SMT450 V1.25 V16 V25 A150 W- 55 C+ 175 CSTGB20N45LZAGAEC-Q101
STGB20NB41LZT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 AmpНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle20 V2 V12 V40 A200 W- 55 C+ 150 CSTGB20NB41LZAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB20NC60VSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 A 600V FAST IGBTНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.8 V20 V60 A200 W- 55 C+ 150 CSTGB20NC60VCut Tape, MouseReel, Reel
STGB20V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.8 V20 V40 A167 W- 55 C+ 175 CSTGB20V60DFCut Tape, MouseReel, Reel
STGB20V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speedНетSiD2PAKSMD/SMTSingle600 V1.8 V20 V40 A167 W- 55 C+ 175 CSTGB20V60FCut Tape, MouseReel, Reel
STGB25N40LZAGSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiD2PAK-3SMD/SMT400 V1.25 V16 V25 A150 W- 55 C+ 175 CSTGB25N40LZAGAEC-Q101
STGB30H60DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGB30H60DFBCut Tape, MouseReel, Reel
STGB30H60DLFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGB30H60DLFBCut Tape, MouseReel, Reel
STGB30H60DLLFBAGSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedДаSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.7 V20 V30 A260 W- 55 C+ 175 CSTGB30H60DLLFBAGAEC-Q101
STGB30H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK packageДаSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGB30H65FB
STGB30M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low lossНетSiSTGB30M65DF2Cut Tape, Reel
STGB30V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.85 V20 V60 A258 W- 55 C+ 175 CSTGB30V60DFCut Tape, MouseReel, Reel
STGB30V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.85 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGB30V60FCut Tape, MouseReel, Reel
STGB3NC120HDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH UltrafastНетSiD2PAKSMD/SMT1200 V2.3 V20 V14 A75 WSTGB3NC120HDCut Tape, MouseReel, Reel
STGB40H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.6 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGB40H65FBCut Tape, MouseReel, Reel
STGB40V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedНетSiD2PAKSMD/SMTSingle600 V1.8 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGB40V60FCut Tape, MouseReel, Reel
STGB4M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low lossНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.6 V20 V8 A68 W- 55 C+ 175 CSTGB4M65DF2
STGB5H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speedНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V1.5 V20 V10 A88 W- 55 C+ 175 CSTGB5H60DFCut Tape, MouseReel, Reel
STGB6M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low lossНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.55 V20 V12 A88 W- 55 C+ 175 CSTGB6M65DF2
STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBTНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V2.7 V20 V80 W- 55 C+ 150 CSTGB6NC60HDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB7H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speedНетSiSTGB7H60DF

Страницы