Всего результатов: 1824
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT25GN120B2DQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, T-MAX, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GN120BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GN120SG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, D3, TO-268, RoHS | Нет | Si | D3PAK-3 | SMD/SMT | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 30 V | 67 A | 272 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT25GP120BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 3.3 V | 30 V | 69 A | 417 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT25GP120BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GP90BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GR120B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GR120S | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-268 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GR120SD15 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 25A, TO-268 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT25GT120BRDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 3.2 V | 30 V | 54 A | 347 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT25GT120BRG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 3.2 V | 30 V | 54 A | 347 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT27GA90BD15 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 900 V | 2.5 V | 30 V | 48 A | 223 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT30GN60BDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GN60BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GP60B2DLG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GP60BDQ1G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GP60BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GP60LDLG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GS60BRDLG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GS60BRDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT30GS60KRG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT High Frequency - Single | Нет | Si | |||||||||||||||
APT30GT60BRDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT30GT60BRG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2 V | 30 V | 64 A | 250 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT30N60SC6 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single | Нет | Si | |||||||||||||||
APT33GF120BRG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 2.5 V | 30 V | 52 A | 297 W | - 55 C | + 150 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »