Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
APT70GR65B2SCD30Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8НетSiTube
APT75GN120B2GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHSНетSiTube
APT75GN120JDQ3Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227НетSiSOT-227-4SMD/SMTSingle1.2 kV1.7 V30 V124 A379 W- 55 C+ 150 CTube
APT75GN120LGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-264, RoHSНетSiTO-264-3Through HoleSingle1.2 kV1.7 V30 V200 A833 W- 55 C+ 150 CTube
APT75GN60BGMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHSНетSiTube
APT75GN60LDQ3GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHSНетSiTO-264-3Through HoleSingle600 V1.45 V30 V155 A536 W- 55 C+ 175 CTube
APT75GP120B2GMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHSНетSiT-Max-3Through HoleSingle1.2 kV3.3 V30 V100 A1.042 kW- 55 C+ 150 CTube
APT75GT120JRDQ3Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 75A, SOT-227НетSiTube
APT80GA60BMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247НетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2 V30 V143 A625 W- 55 C+ 150 CTube
APT80GA60LD40Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264НетSiTO-264-3SMD/SMTSingle600 V2 V30 V143 A625 W- 55 C+ 150 CTube
APT80GA90BMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 900V, TO-247НетSiTO-247-3Through HoleTube
APT80GA90LD40Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264ДаSiTO-247-3Through HoleTube
APT95GR65B2Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 650V, 95A, TO-247 T-MAXНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V30 V208 A892 W- 55 C+ 150 CTube
STGB10H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speedНетSiD2PAKSMD/SMTSingle600 V1.5 V20 V20 A115 W- 55 C+ 175 CSTGB10H60DFCut Tape, MouseReel, Reel
STGB10M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low lossНетSiSTGB10M65DF2Cut Tape, Reel
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBTНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle440 V16 V- 65 C+ 150 CSTGB10NB37LZAEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 AmpНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle1.8 V1.2 V12 V20 A150 W- 55 C+ 150 CSTGB10NB40LZT4AEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600VНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB10NC60HDCut Tape, MouseReel, Reel
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFETНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB10NC60KDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB14NC60KDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBTНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V2.1 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB14NC60KDT4Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB15H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speedНетSiD2PAKSMD/SMTSingle600 V1.6 V20 V30 A115 W- 55 C+ 175 CSTGB15H60DFCut Tape, MouseReel, Reel
STGB15M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low lossНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle650 V1.55 V20 V30 A136 W- 55 C+ 175 CSTGB15M65DF2Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 VНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle360 V12 V- 55 C+ 150 CSTGB18N40LZT4AEC-Q101Cut Tape, MouseReel, Reel
STGB19N40LZSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)ДаSiSTGB19N40LZAEC-Q100
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 19AНетSiD2PAK-3SMD/SMTSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGB19NC60HDT4Cut Tape, MouseReel, Reel

Страницы