Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
STGP30H60DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGP30H60DFB
STGP30M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low lossНетSiSTGP30M65DF2Tube
STGP30V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V2.35 V20 V60 A258 W- 55 C+ 175 CSTGP30V60DFTube
STGP30V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStopНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V2.3 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGP30V60FTube
STGP35HF60WSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A Ultrafast IGBT 600V 100kHzНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.65 V20 V60 A200 W- 55 C+ 150 CSTGP35HF60WTube
STGP3HF60HDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diodeДаSiSTGP3HF60HD
STGP3NC120HDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7A 1200 V Very Fast IGBT Power BipolarНетSiTO-220-3Through HoleSingle2.2 V20 V14 A75 W- 55 C+ 150 CSTGP3NC120HDTube
STGP40V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V2.35 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGP40V60FTube
STGP4M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench Gate IGBT M Series 650V 4AНетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V8 A68 W- 55 C+ 175 CSTGP4M65DF2Tube
STGP5H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speedНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.5 V20 V10 A88 W- 55 C+ 175 CSTGP5H60DF
STGP6M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-220-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V12 A88 W- 55 C+ 175 CSTGP6M65DF2
STGP6NC60HDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBTНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.9 V20 V15 A56 W- 55 C+ 150 CSTGP6NC60HDTube
STGP7H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speedНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V1.95 V20 V14 A88 W- 55 C+ 175 CSTGP7H60DFTube
STGP7NC60HDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTO-220-3 FPThrough HoleSingle600 V2.5 V20 V80 W- 55 C+ 150 CSTGP7NC60HDTube
STGP8M120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 packageДаSiTO-220-3Through HoleSingle1.2 kV1.85 V20 V16 A167 W- 55 C+ 175 CSTGP8M120DF3
STGP8NC60KDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFETНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGP8NC60KDTube
STGPL6NC60DSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 6A N-ChannelНетSiTO-220-3Through HoleSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGPL6NC60DTube
STGPL6NC60DISTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V - 6 A Hyper fast IGBTНетSiTO-220-3Through Hole600 V1.9 V20 V14 A56 WSTGPL6NC60DITube
STGW10M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V20 A115 W- 55 C+ 175 CSTGW10M65DF2
STGW15H120DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.1 V20 V30 A259 W- 55 C+ 175 CSTGW15H120DF2Tube
STGW15H120F2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.1 V20 V30 A259 W- 55 C+ 175 CSTGW15H120F2Tube
STGW15M120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low lossНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.85 V20 V30 A283 W- 55 C+ 175 CSTGW15M120DF3Tube
STGW19NC60HDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A - 600 V Very fast IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGW19NC60HDTube
STGW20H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStopНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2 V20 V40 A167 W- 55 C+ 175 CSTGW20H60DFTube
STGW20H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V40 A168 W- 55 C+ 175 CSTGW20H65FBTube

Страницы