Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
STGW20IH125DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 20A trench gate field-stop IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.25 kV2.55 V20 V40 A259 W- 55 C+ 175 CSTGW20IH125DFTube
STGW20NC60VSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 30 AmpНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.5 V20 V60 A200 W- 55 C+ 150 CSTGW20NC60VTube
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 30 AmpНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.5 V20 V60 A200 W- 55 C+ 150 CSTGW20NC60VDTube
STGW20V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBTНетSiTO-247Through HoleSingle600 V2.3 V20 V40 A167 W- 55 C+ 175 CSTGW20V60DFTube
STGW20V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStopНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.8 V20 V40 A167 W- 55 C+ 175 CSTGW20V60FTube
STGW25H120DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.1 V20 V50 A375 W- 55 C+ 175 CSTGW25H120DF2Tube
STGW25H120F2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.1 V20 V50 A375 W- 55 C+ 175 CSTGW25H120F2Tube
STGW25M120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low lossНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.85 V20 V50 A326 W- 55 C+ 175 CSTGW25M120DF3Tube
STGW28IH125DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 25A trench gate field-stop IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1.25 kV2.65 V20 V60 A375 W- 55 C+ 175 CSTGW28IH125DFTube
STGW30H60DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGW30H60DFBTube
STGW30H60DLFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSTGW30H60DLFBTube
STGW30H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.75 V20 V30 A260 W- 55 C+ 175 CSTGW30H65FBTube
STGW30M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low lossНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V60 A258 W- 55 C+ 175 CSTGW30M65DF2
STGW30NC120HDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.75 V25 V220 W- 55 C+ 150 CSTGW30NC120HDTube
STGW30NC60KDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 600v IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGW30NC60KDTube
STGW30NC60VDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESHНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.5 V20 V250 W- 55 C+ 150 CSTGW30NC60VDTube
STGW30NC60WDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V2.1 V20 V200 W- 55 C+ 150 CSTGW30NC60WDTube
STGW30V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBTНетSiTO-247Through HoleSingle600 V2.35 V20 V60 A258 W- 55 C+ 175 CSTGW30V60DFTube
STGW30V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStopНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.85 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGW30V60FTube
STGW35HF60WSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Ultra Fast IGBT 35A 600VНетSiTO-247Through Hole2.5 V20 V60 A200 W- 55 C+ 150 CSTGW35HF60WTube
STGW35HF60WDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 A 600 V Ultra fast IGBTНетSiTO-247Through HoleSingle600 V2.5 V20 V60 A200 W- 55 C+ 150 CSTGW35HF60WDTube
STGW35HF60WDISTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 A 600 V Ultra fast IGBTНетSiSTGW35HF60WDITube
STGW35NB60SDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 35A 600VНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V20 V- 55 C+ 150 CSTGW35NB60SDTube
STGW39NC60VDSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL MFTНетSiTO-247-3Through HoleSingle600 V1.8 V/1.7 V20 V250 W- 55 C+ 150 CSTGW39NC60VDTube
STGW40H120DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V2.1 V20 V80 A468 W- 55 C+ 175 CSTGW40H120DF2Tube

Страницы