Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
STGWA40S120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low dropНетSiTO247-3Through HoleSingle1.2 kV1.65 V20 V80 A468 W- 55 C+ 175 CSTGWA40S120DF3Tube
STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)ДаSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.5 V20 V100 A300 WSTGWA50IH65DF
STGWA50M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V80 A375 W- 55 C+ 175 CSTGWA50M65DF2
STGWA60H65DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V2 V20 V80 A375 W- 55 C+ 175 CSTGWA60H65DFB
STGWA60V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBTДаSiSTGWA60V60DF
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.65 V20 V120 A488 W- 55 C+ 175 CSTGWA75M65DF2
STGWA80H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speedНетSiTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V120 A469 W- 55 C+ 175 CSTGWA80H65FBTube
STGWA8M120DF3STMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low lossДаSiTO-247-3Through HoleSingle1200 V1.85 V20 V16 A167 W- 55 C+ 175 CSTGWA8M120DF3
STGWF30NC60SSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCEНетSiTO-3PFThrough HoleSingle1.5 V- 55 C+ 150 CSTGWF30NC60STube
STGWT15H60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speedНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V1.6 V20 V30 A115 W- 55 C+ 175 CSTGWT15H60FTube
STGWT20H60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStopНетSiTO-3P-3Through HoleSingle600 V2 V20 V40 A167 W- 55 C+ 175 CSTGWT20H60DFTube
STGWT20H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speedНетSiTO-3PThrough HoleSingle650 V1.55 V20 V40 A168 W- 55 C+ 175 CSTGWT20H65FBTube
STGWT20HP65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speedНетSiTO-3P-3Through HoleSingle650 V1.55 V20 V40 A168 W- 55 C+ 175 CSTGWT20HP65FB
STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 20A trench gte field-stop IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle1.25 kV2.55 V20 V40 A259 W- 55 C+ 175 CSTGWT20IH125DFTube
STGWT20V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V2.3 V20 V40 A167 W- 55 C+ 175 CSTGWT20V60DFTube
STGWT20V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStopНетSiTO-3P-3Through HoleSingle600 V2.3 V20 V40 A167 W- 55 C+ 175 CSTGWT20V60FTube
STGWT28IH125DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 25A trench gte field-stop IGBTНетSiTO-3P-3Through HoleSingle1.25 kV2.65 V20 V60 A375 W- 55 C+ 175 CSTGWT28IH125DFTube
STGWT30H60DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V1.55 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGWT30H60DFBTube
STGWT30H65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speedНетSiTO-3PThrough HoleSingle650 V1.75 V20 V30 A260 W- 55 C+ 175 CSTGWT30H65FBTube
STGWT30V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V2.35 V20 V60 A258 W- 55 C+ 175 CSTGWT30V60DFTube
STGWT30V60FSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStopНетSiTO-3P-3Through HoleSingle600 V2.3 V20 V60 A260 W- 55 C+ 175 CSTGWT30V60FTube
STGWT40H60DLFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A HSpd trench gate field-stop IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V1.6 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGWT40H60DLFBTube
STGWT40H65DFBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle650 V1.6 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGWT40H65DFBTube
STGWT40HP65FBSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiTO-3P-3Through HoleSingle650 V1.6 V30 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGWT40HP65FB
STGWT40V60DFSTMicroelectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBTНетSiTO-3PThrough HoleSingle600 V2.35 V20 V80 A283 W- 55 C+ 175 CSTGWT40V60DFTube

Страницы