Вы здесь

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1824
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюУпаковка / блок Вид монтажа Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальное напряжение затвор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Pd - рассеивание мощности Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия Квалификация Упаковка
IRGS4B60KD1TRRPInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBTНетSiTO-263-3SMD/SMTSingle600 V2.1 V20 V11 A63 W- 55 C+ 175 CRCCut Tape, MouseReel, Reel
IRGS6B60KDPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBTНетSiTO-263-3SMD/SMTSingle600 V1.8 V20 V18 A90 W- 55 C+ 150 CRCTube
IRGS6B60KDTRLPInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 5AНетSiTO-222AB-3SMD/SMTSingle600 V1.8 V20 V18 A90 W- 55 C+ 150 CRCReel
IRGS6B60KDTRRPInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBTНетSiTO-222AB-3SMD/SMTSingle600 V1.8 V20 V18 A90 W- 55 C+ 150 CRCReel
IRGS6B60KTRLPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 7AD2PAKНетSiTO-263-3SMD/SMTSingle600 V1.8 V20 V13 A90 W- 55 C+ 150 CRCReel
IRGSL4062DPBFInfineon TechnologiesБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Low VCEonНетSiTO-262-3Through HoleSingle600 V1.95 V20 V48 A250 W- 55 CTube
RJH60D1DPP-M0#T2Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60D2DPE-00#J3Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiReel
RJH60D2DPP-M0#T2Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60D7DPK-00#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POWER TRS IGBTНетSiTube
RJH60F0DPK-00#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60F3DPQ-A0#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60F4DPK-00#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60F4DPQ-A0#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60F5DPK-00#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60F5DPQ-A0#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60F6DPQ-A0#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60F7DPQ-A0#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBTНетSiTube
RJH60T04DPQ-A1#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 650V TO247AНетSiTO-247A-3Through HoleSingle600 V1.5 V30 V60 A208.3 W- 55 C+ 150 CTube
RJH65T46DPQ-A0#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT - 650V/40A/TO-247AНетSiTO-247A-3Through HoleSingle650 V1.8 V30 V80 A340.9 W- 55 C+ 175 CTube
RJH65T47DPQ-A0#T0Renesas ElectronicsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT - 650V/45A/TO-247AНетSiTO-247A-3Through HoleSingle650 V1.8 V30 V90 A375 W- 55 C+ 175 CTube
IXGH48N60C3C1IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600VНетSiCTO-247AD-3IXGH48N60Tube
IXGP30N60C3C1IXYSБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30AНетSiCIXGP30N60Tube
AFGHL50T65SQDCON SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBDНетSiCTO-247-3Through HoleSingle650 V1.6 V20 V100 A268 W- 55 C+ 175 CAEC-Q101Tube

Страницы