Всего результатов: 1824
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT35GA90B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 900V, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT35GA90BD15 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT35GN120BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 30 V | 94 A | 379 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT35GN120L2DQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-264 MAX, RoHS | Нет | Si | TO-264MAX-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 30 V | 94 A | 379 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT35GP120B2DQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT35GP120BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 35A, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT36GA60B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT36GA60BD15 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT40GP60B2DQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT40GP60SG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | Нет | Si | |||||||||||||||
APT40GR120B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 40A, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT40GR120B2D30 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 30A, TO-247 T-MAX | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 2.5 V | 30 V | 88 A | 500 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT40GR120S | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 40A, TO-268 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT40GT60BRG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 40A, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2 V | 30 V | 80 A | 345 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT43GA90B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 900V, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT43GA90BD30 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 900 V | 2.5 V | 30 V | 78 A | 337 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT44GA60BD30 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT45GP120B2DQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | T-Max-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 3.3 V | 30 V | 113 A | 625 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT45GP120BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 45A, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 3.3 V | 30 V | 100 A | 625 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT45GP120J | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 45A, SOT-227 | Нет | Si | SOT-227-4 | Chassis Mount | N-Channel | 1.2 kV | 3.3 V | 20 V | 34 A | 329 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT45GP120JDQ2 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 45A, SOT-227 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT45GR65B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 650V, 45A, TO-247 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 650 V | 1.9 V | 30 V | 118 A | 543 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT45GR65B2DU30 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT45GR65S | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Si | |||||||||||||||
APT50GN120B2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT,1200V, T-MAX, RoHS | Нет | Si | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »