Всего результатов: 1824
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Упаковка / блок | Вид монтажа | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Pd - рассеивание мощности | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT50GN120L2DQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-264 MAX, RoHS | Нет | Si | TO-264-3 | Through Hole | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 30 V | 134 A | 543 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT50GN60BDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.5 V | 30 V | 107 A | 366 W | - 55 C | + 175 C | Tube | ||||
APT50GN60BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 1.5 V | 30 V | 107 A | 366 W | - 55 C | + 175 C | Tube | ||||
APT50GP60B2DQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT50GP60BG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 50A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT50GS60BRDLG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT50GS60BRDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2.8 V | 30 V | 93 A | 415 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT50GS60BRG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2.8 V | 30 V | 93 A | 415 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT50GT120B2RG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT50GT120LRDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-264, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT50GT60BRDQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2 V | 30 V | 110 A | 446 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT50GT60BRG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT54GA60B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT54GA60BD30 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Single | 600 V | 2 V | 30 V | 96 A | 416 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT60GT60BRG | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 60A, TO-247, RoHS | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT64GA90B2D30 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247 T-MAX | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT64GA90LD30 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264 | Нет | Si | TO-264-3 | Through Hole | Single | 900 V | 2.5 V | 30 V | 117 A | 500 W | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT65GP60B2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 65A, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT65GP60L2DQ2G | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 MAX, RoHS | Нет | Si | TO-247-3 | Through Hole | Tube | ||||||||||||
APT68GA60B | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT68GA60LD40 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT70GR120B2 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 70A, TO-247 T-MAX | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT70GR120JD60 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 70A, SOT-227 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT70GR120L | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 70A, T0264 | Нет | Si | Tube | ||||||||||||||
APT70GR65B2DU40 | Microchip / Microsemi | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | Нет | Si | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »