Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXGH60N60C3D1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 75 A | 100 nA | 380 W | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||||
IXGH64N60A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | Нет | Single | 600 V | 600 V | 100 nA | 460 W | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||||
IXGH64N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.59 V | 400 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGK300N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 300 Amps 600V 1.6 Rds | Да | Tube | ||||||||||||||
IXGK320N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | Да | Single | 600 V | 600 V | 500 A | 400 nA | 1.7 kW | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGK50N120C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.6 V | 95 A | 100 nA | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGK55N120A3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 125 A | 100 nA | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGK64N60B3D1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode | Нет | 600 V | 600 V | 100 nA | 460 W | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||||
IXGN400N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range PT IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.25 V | 430 A | 400 nA | SOT-227B-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGN50N120C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode | Нет | 1.2 kV | 95 A | 100 nA | 460 W | SOT-227 B-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||||
IXGP12N120A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.4 V | 22 A | 100 nA | TO-220AB-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGR55N120A3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.2 V | 70 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGR6N170A | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Voltage IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 5.4 V | 5.5 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGR72N60A3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode | Нет | 600 V | 600 V | 75 A | 100 nA | 200 W | ISOPLUS247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||||
IXGR72N60B3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 80 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGT32N120A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs | Нет | Single | 1.2 kV | 75 A | 100 nA | 300 W | TO-268 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||||
IXGT72N60A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.35 V | 75 A | 100 nA | TO-268-3 | - 55 C | + 150 C | Bulk | |||||
IXGT72N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 B3-Class IGBTs | Нет | TO-268-3 | Tube | |||||||||||||
IXGX300N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs | Да | Tube | ||||||||||||||
IXGX320N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | Нет | Single | 600 V | 600 V | 500 A | 400 nA | 1.7 kW | PLUS247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGX50N120C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.6 V | 95 A | 100 nA | PLUS247-3 | - 55 C | + 150 C | ||||||
IXGX55N120A3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode | Нет | TO-247-3 | Tube | |||||||||||||
IXGX64N60B3D1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode | Нет | TO-264-3 | Tube | |||||||||||||
IXRB5-506MINIPACK2 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MiniPack 2 | Нет | IGBT Silicon Modules | Bulk | |||||||||||||
IXXN110N65C4H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT | Нет | IGBT Silicon Modules | Single Dual Emitter | 650 V | 1.98 V | 210 A | 100 nA | 750 W | SOT-227B-4 | - 55 C | + 175 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- …
- следующая ›
- последняя »