Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология ![]() | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FP150R12KT4 | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.75 V | 150 A | 100 nA | 20 mW | EconoPIM 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FP150R12KT4P | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.75 V | 150 A | 100 nA | 20 mW | EconoPIM 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FP150R12KT4P_B11 | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.75 V | 150 A | 100 nA | 20 mW | EconoPIM 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FP15R12W1T4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FP15R12W1T4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FP15R12W1T7B11BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | |||||||||||||
FP15R12W1T7B3BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | |||||||||||||
FP15R12W1T7PB3BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | |||||||||||||
FP25R12KT4B16BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FP25R12W1T7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module with TRENCHSTOP IGBT7 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | PIM | 1200 V | 1.6 V | 25 A | 100 nA | AG-EASY1B-2 | - 40 C | + 175 C | Tray | ||||
FP25R12W2T4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FP25R12W2T4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FP35R12W2T4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) BOND MODULE | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FP35R12W2T4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) BOND MODULE | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FP75R12KT4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FP75R12KT4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FS100R12KT4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | ![]() | Нет | AG-ECONO3-4 | Tray | ||||||||||||
FS100R12KT4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | ![]() | Нет | AG-ECONO3-4 | Tray | ||||||||||||
FS100R12N2T4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | ![]() | Нет | AG-ECONO3-4 | Tray | ||||||||||||
FS100R12PT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3 PHASE POWER BRIDGE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 135 A | 100 nA | 500 W | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.5 V | 70 A | 100 nA | AG-EASY2B-2 | - 40 C | + 175 C | Tray | ||||
FS100R17N3E4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FS200R07A5E3S6BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FS200R07N3E4R | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FS215R04A1E3DBOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- …
- следующая ›
- последняя »