Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASYНетTray
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASYНетTray
FS400R07A3E3H6BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 1НетTray
FS450R17OP4PBOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS50R07W1E3B11ABOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesSingle650 V1.7 V70 A400 nA205 WEasyPack1B- 40 C+ 150 CTray
FS600R07A2E3B31BOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FS600R07A2E3B32BOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FS660R08A6P2FBBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS660R08A6P2FLBBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS75R07W2E3B11ABOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon Modules3-Phase650 V1.7 V95 A400 nA275 WEasyPack1B- 40 C+ 150 CTray
FS770R08A6P2BBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS770R08A6P2LBBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS800R07A2E3B32BOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesSingle650 V1.4 V800 A400 nA1.5 kWHybirdPack2- 40 C+ 150 CTray
FS820R08A6P2BBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVEНетTray
FS820R08A6P2BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVEНетTray
FS820R08A6P2LBBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVEНетTray
FS900R08A2P2B31BOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK2НетTray
HYBRIDKIT1TOBO1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
IFF450B12ME4PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.75 V450 A400 nA20 mW152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm- 40 C+ 150 CTray
IFF450B12ME4S8PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Description:НетIGBT Silicon Modules1200 V1.75 V450 A400 nA- 40 C+ 150 CTray
IFF600B12ME4PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.75 V600 A400 nA20 mW152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm- 40 C+ 150 CTray
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Description:НетIGBT Silicon Modules1200 V1.75 V600 A400 nA20 mW- 40 C+ 150 CTray
IXA20PG1200DHGLB-TRRIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUSДаIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.8 V32 A500 nA130 WSMPD-9- 55 C+ 150 CReel
IXA20RG1200DHGLB-TRRIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUSДаIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V32 A500 nA125 WSMPD-9- 55 C+ 150 CReel
IXA30PG1200DHGLB-TRRIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUSДаIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.9 V43 A500 nA150 WSMPD-9- 55 C+ 150 CReel

Страницы