Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология ![]() | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FS400R07A3E3H6BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 1 | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FS450R17OP4PBOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | |||||||||||||
FS50R07W1E3B11ABOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.7 V | 70 A | 400 nA | 205 W | EasyPack1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FS600R07A2E3B31BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FS600R07A2E3B32BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FS660R08A6P2FBBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | |||||||||||||
FS660R08A6P2FLBBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | |||||||||||||
FS75R07W2E3B11ABOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 650 V | 1.7 V | 95 A | 400 nA | 275 W | EasyPack1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FS770R08A6P2BBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | |||||||||||||
FS770R08A6P2LBBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | Tray | |||||||||||||
FS800R07A2E3B32BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.4 V | 800 A | 400 nA | 1.5 kW | HybirdPack2 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
FS820R08A6P2BBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVE | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FS820R08A6P2BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVE | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FS820R08A6P2LBBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVE | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
FS900R08A2P2B31BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK2 | ![]() | Нет | Tray | |||||||||||||
HYBRIDKIT1TOBO1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Да | ||||||||||||||
IFF450B12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.75 V | 450 A | 400 nA | 20 mW | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
IFF450B12ME4S8PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Description: | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.75 V | 450 A | 400 nA | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
IFF600B12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.75 V | 600 A | 400 nA | 20 mW | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Description: | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.75 V | 600 A | 400 nA | 20 mW | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
IXA20PG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.8 V | 32 A | 500 nA | 130 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||
IXA20RG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 32 A | 500 nA | 125 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||
IXA30PG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.9 V | 43 A | 500 nA | 150 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- …
- следующая ›
- последняя »