Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXA30RG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 43 A | 500 nA | 147 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Reel | ||||
IXA40PF1200TDHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs | Да | Reel | ||||||||||||||
IXA40PG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 63 A | 200 nA | 230 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, Reel | ||||
IXA40RG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | Да | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 61 A | 500 nA | 215 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXA20PG1200DHG-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA20PG1200DHGLB-TRR | Нет | Reel | ||||||||||||||
IXA20PG1200DHG-TUB | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA20PG1200DHGLB-TUB | Нет | Tube | ||||||||||||||
IXA30PG1200DHG-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA30PG1200DHGLB-TRR | Нет | Reel | ||||||||||||||
IXA30PG1200DHG-TUB | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA30PG1200DHGLB-TUB | Нет | Tube | ||||||||||||||
IXA 40PG1200DHG LB | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT phaseleg | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 63 A | 200 nA | 230 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | |||||
IXA40PG1200DHG-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA40PG1200DHGLB-TRR | Нет | Reel | ||||||||||||||
IXA40PG1200DHG-TUB | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IXA40PG1200DHGLB-TUB | Нет | Tube | ||||||||||||||
IXA60IF1200NA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Copack | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 1.8 V | 88 A | 500 nA | 290 W | SOT-227B-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
IXA70I1200NA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 1.8 V | 100 A | 500 nA | 350 W | SOT-227B-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
IXA90IF650NA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBT | Да | Tube | ||||||||||||||
IXBN75N170 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 145Amps 1700V | Нет | SOT-227B-4 | Tube | |||||||||||||
IXG70IF1200NA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE - OTHERS | Нет | Tube | ||||||||||||||
IXGA20N120B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.7 V | 36 A | 100 nA | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGA24N120C3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 40khz PT IGBTs Power Device | Да | Single | 1.2 kV | 48 A | 100 nA | 250 W | TO-263 | - 40 C | + 150 C | Tube | ||||||
IXGH12N120A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.4 V | 22 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGH30N120C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 3.6 V | 48 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGH30N60C3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 60 A | 100 nA | 220 W | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGH30N60C3D1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | Нет | 600 V | 600 V | 60 A | 100 nA | 220 W | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||||
IXGH48N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 100 nA | 300 W | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||||
IXGH56N60A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | Нет | Single | 600 V | 600 V | 150 A | 100 nA | 330 W | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGH56N60B3D1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.49 V | 350 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- …
- следующая ›
- последняя »