Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF1800R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PP, IHM I, XHP 1,7KV | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF200R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF225R17ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF300R17KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF300R17ME4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF400R07A01E3S6XKSA2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DSC | Да | Dual | 700 V | 1.65 V | 400 A | 400 nA | 1500 W | - 40 C | + 150 C | Tube | ||||||
FF400R17KE4EHOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF400R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF450R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF450R12ME4EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | Common Emitter | 1200 V | 1.75 V | 450 A | 400 nA | 20 mW | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF450R33T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XHP 3 3300V dual IGBT module with IGBT3 and Emitter Controlled 3 Diode - Designed for flexibility and reliability! | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 3300 V | 2.5 V | 450 A | 400 nA | AG-XHP100-3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FF500R17KE4BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF600R12KE4BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF600R12ME4CB11BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FF600R12ME4CBOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FF600R12ME4EB11BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | Common Emitter | 1200 V | 1.75 V | 600 A | 400 nA | 20 mW | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF600R12ME4PB72BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FF900R12IE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PRIMEPACK | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP10R12W1T4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP10R12W1T4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP10R12W1T7B3BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FP10R12W1T7PB3BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FP150R12KT4_B11 | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.75 V | 150 A | 100 nA | 20 mW | EconoPIM 3 | - 40 C | + 150 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- …
- следующая ›
- последняя »