Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGT300H60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6107НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge600 V1.4 V430 A500 nA1.15 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300SK120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6120НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V420 A600 nA1.38 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300SK170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6132НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V400 A600 nA1.66 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300SK60D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7080НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V400 A400 nA940 WD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT300SK60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6165НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.4 V430 A500 nA1.15 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300TL60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6182НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V400 A800 nA935 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300TL65GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6220НетIGBT Silicon Modules650 V1.5 V400 A800 nA935 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT30A170T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8030НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V45 A600 nA210 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT30H170T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3010НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.7 kV2 V45 A600 nA210 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT30H60T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8008НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge600 V1.5 V50 A300 nA90 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT30TL601GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8073НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V50 A300 nA90 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT30X60T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3077НетIGBT Silicon Modules3-Phase600 V1.5 V50 A300 nA90 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT35A120T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Trench Field Stop 1200V 55A 208WНетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V55 A400 nA208 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT35H120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3052НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.7 V55 A400 nA208 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT35X120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3074НетIGBT Silicon Modules3-Phase1.2 kV1.7 V55 A400 nA208 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT400A120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7075НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V580 A400 nA2.1 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT400A120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6130НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V560 A600 nA1.785 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT400DA120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6097НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V560 A800 nA1.785 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT400DA60D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7097НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V500 A400 nA1.25 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT400DU120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6088НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V560 A800 nA1.785 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT400SK120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6176НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V560 A800 nA1.785 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT400TL65GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6242НетIGBT Silicon Modules650 V1.5 V500 A1.2 uA1.15 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT400U120D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7033НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V650 A600 nA1.785 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGT400U170D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7019НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V800 A400 nA2.08 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGT450A60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6123НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.4 V550 A600 nA1.75 kWSP6- 40 C+ 100 CTube

Страницы