Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT300H60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6107 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300SK120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6120 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 420 A | 600 nA | 1.38 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300SK170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6132 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 600 nA | 1.66 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300SK60D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7080 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 400 A | 400 nA | 940 W | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGT300SK60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6165 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT300TL60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6182 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 400 A | 800 nA | 935 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
APTGT300TL65G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6220 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.5 V | 400 A | 800 nA | 935 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
APTGT30A170T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8030 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 45 A | 600 nA | 210 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT30H170T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3010 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.7 kV | 2 V | 45 A | 600 nA | 210 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT30H60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8008 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 50 A | 300 nA | 90 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT30TL601G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8073 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 50 A | 300 nA | 90 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
APTGT30X60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3077 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.5 V | 50 A | 300 nA | 90 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT35A120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Trench Field Stop 1200V 55A 208W | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 55 A | 400 nA | 208 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT35H120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3052 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 55 A | 400 nA | 208 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT35X120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3074 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1.2 kV | 1.7 V | 55 A | 400 nA | 208 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT400A120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7075 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 580 A | 400 nA | 2.1 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGT400A120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6130 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 560 A | 600 nA | 1.785 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT400DA120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6097 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 560 A | 800 nA | 1.785 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT400DA60D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7097 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 500 A | 400 nA | 1.25 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGT400DU120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6088 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 560 A | 800 nA | 1.785 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT400SK120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6176 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 560 A | 800 nA | 1.785 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||
APTGT400TL65G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6242 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.5 V | 500 A | 1.2 uA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
APTGT400U120D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7033 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 650 A | 600 nA | 1.785 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGT400U170D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7019 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 800 A | 400 nA | 2.08 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||
APTGT450A60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6123 | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.4 V | 550 A | 600 nA | 1.75 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- …
- следующая ›
- последняя »