Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- …
- следующая ›
- последняя »
| Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APTGT100BB60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3152 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP3F-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT100DA120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8079 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT100DA60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8064 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT100DH120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4080 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT100DH60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4084 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT100DU120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4121 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT100DU170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4127 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 400 nA | 560 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT100DU60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4123 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT100H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6073 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT100H170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6115 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 500 nA | 560 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT100H60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3006 | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP-3 | - 40 C | + 175 C | Tube | |||
| APTGT100H60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4102 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT100SK170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4098 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 400 nA | 560 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT100TA120TPG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6536 | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT100TDU60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6512 | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT100TL170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6205 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 500 nA | 560 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
| APTGT100TL60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3081 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
| APTGT150A120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6111 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT150A120T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3066 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 833 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT150A120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4022 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
| APTGT150A60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8063 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT150A60T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3129 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 600 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT150DA60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8065 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT150DH120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6245 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT150DH60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4108 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- …
- следующая ›
- последняя »