Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- …
- следующая ›
- последняя »
| Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A2C35S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Нет | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
| A2C50S65M2 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Нет | IGBT Silicon Modules | CIB | 650 V | 2.3 V | 100 A | 500 nA | 208 W | ACEPACK-2 | - 40 C | + 150 C | ||||
| A2C50S65M2-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Да | IGBT Silicon Modules | CIB | 650 V | 1.95 V | 50 A | 500 nA | 208 W | ACEPACK-2-35 | - 40 C | + 150 C | ||||
| A2P75S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | IGBT Silicon Modules | 6-Pack | 1200 V | 1.95 V | 75 A | 500 nA | 454.5 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
| A2P75S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | IGBT Silicon Modules | 6-Pack | 1200 V | 1.95 V | 75 A | 500 nA | 454.5 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
| STGIB10CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 15 A | 66 W | SDIP2B-26 | - 40 C | + 125 C | ||||||
| STGIB10CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 10A,600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 10 A | 60 W | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
| STGIB15CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 15 A | 75 W | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
| STGIB15CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 15 A | 75 W | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
| STGIB8CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.91 V | 12 A | 50 W | SDIP2B-26 | - 40 C | + 125 C | |||||
| STGIB8CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.91 V | 12 A | 50 W | SDIP2B-26 | - 40 C | + 125 C | |||||
| STGIF10CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.65 V | 15 A | 33 W | SDIP2F-26 | - 40 C | + 175 C | |||||
| STGIF10CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 10 A | 26 W | SDIP2F-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
| STGIF5CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | SDIP2F-26L | + 175 C | Tube | ||||||||||
| STGIF7CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.7 V | 10 A | 31 W | SDIP2F-26L | - 40 C | + 125 C | |||||
| STGIPL14K60 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Intelligent Pwr Mod 600V 3-Phase IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 44 W | SDIP-38L | - 40 C | + 150 C | Tube | |||||||
| STGIPL14K60-S | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter, 15 A, 600 V short-circuit rugged IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 2.1 V | 15 A | - | 44 W | SDIP-38L | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||
| STGIPL20K60 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM IPM 3-Phase 20A 600V IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | 56 W | SDIP-38L | - 40 C | + 150 C | Tube | ||||||||
| STGIPL30C60-H | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter, 30 A, 600 V short-circuit rugged IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | |||||||||||||
| STGIPN3H60 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLIMM Nano 3A 600V 3-Phase IGBT Bridge | Нет | IGBT Silicon Modules | NDIP-26L | - 40 C | + 150 C | Tube | |||||||||
| STGIPN3H60A | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | NDIP-26L | - 40 C | + 150 C | Tube | |||||||||
| STGIPN3H60AT | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 2.6 V | 3 A | 8 W | NDIP-26L | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||
| STGIPN3H60T-H | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 2.15 V | 3 A | - | 8 W | NDIP-26L | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
| STGIPN3HD60-H | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 2.15 V | 3 A | 7 W | NSDIP-L-26 | - 40 C | + 150 C | |||||
| STGIPNS3H60T-H | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 2.15 V | 3 A | 6.6 W | NSDIP-26L | - 40 C | + 150 C |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- …
- следующая ›
- последняя »