Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- …
- следующая ›
- последняя »
| Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APTGT50X60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3053 | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP-3 | - 40 C | + 175 C | Tube | |||
| APTGT600DA60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6117 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.4 V | 700 A | 800 nA | 2.3 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT600DU60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6140 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.4 V | 700 A | 800 nA | 2.3 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT600U120D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7022 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 900 A | 400 nA | 2.5 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||
| APTGT600U170D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7016 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 1.1 kA | 400 nA | 2.9 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||
| APTGT750U60D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7093 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 1 kA | 3.1 uA | 2.3 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||
| APTGT75A120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8010 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 110 A | 400 nA | 357 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT75A60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8061 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | SP-1 | - 40 C | + 175 C | Tube | |||
| APTGT75DA120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4105 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 110 A | 400 nA | 357 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
| APTGT75DA60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8044 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT75DDA60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3116 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT75DH120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3046 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 110 A | 400 nA | 357 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT75DU120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4136 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 100 A | 400 nA | 350 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
| APTGT75H120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4061 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 110 A | 400 nA | 357 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
| APTGT75H60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8024 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT75H60T2G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC20006 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | - 40 C | + 100 C | Bulk | ||||
| APTGT75H60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3019 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT75SK120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4134 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 110 A | 400 nA | 357 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
| APTGT75TA120PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6521 | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1.2 kV | 1.7 V | 100 A | 400 nA | 350 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT75TDU60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6525 | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGT75TL60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3084 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
| APTGT75X60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3078 | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||
| APTGTQ100A65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8125 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
| APTGTQ100DA65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8123 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
| APTGTQ100DDA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3202 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- …
- следующая ›
- последняя »