Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRG4BC20KDSTRRP | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT | Нет | Single | 600 V | 16 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
IRG4BC30KDSTRLP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 23A | Нет | Single | 600 V | 28 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
IRG4BC30KDSTRRP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT | Нет | Single | 600 V | 28 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
IRG4BC30W-STRLP | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 23AD2PAK | Нет | Single | 600 V | 23 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
IRG4BC40W-STRRP | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 40AD2PAK | Нет | Single | 600 V | 40 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT | Нет | Single | 1200 V | 11 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | ||||||||
IRG4RC10KDTRPBF | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 8.500A | Нет | Single | 600 V | 9 A | DPAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
IRGS10B60KDTRRP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETES | Нет | Single | 600 V | 22 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
APT100GLQ65JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0101 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.85 V | 165 A | 150 nA | 430 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
APT100GLQ65JU3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0107 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.85 V | 165 A | 150 nA | 430 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
APT50GLQ65JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0108 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.85 V | 80 A | 150 nA | 220 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
APTGLQ100A120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4143 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 170 A | 150 nA | 520 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ100DA120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8129 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 2.05 V | 170 A | 150 nA | 520 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ100H65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC3214 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 135 A | 150 nA | 350 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ150A120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4145 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 250 A | 240 nA | 750 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ150H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6256 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 2.05 V | 250 A | 240 nA | 750 W | SP6 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ200A120T3AG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC3210 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 400 A | 480 nA | 1250 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ200H65G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC6254 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 270 A | 300 nA | 680 W | SP6 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ25H120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8121 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 2.05 V | 50 A | 150 nA | 165 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ25H120T2G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC20011 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 2.05 V | 50 A | 150 nA | 165 W | SP2 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||
APTGLQ300A120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6253 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 500 A | 480 nA | 1500 W | SP6 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ300SK120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6255 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 2.05 V | 500 A | 480 nA | 1500 W | SP6 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ30H65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3209 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.95 V | 40 A | 300 nA | 95 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ50DDA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3213 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ50H65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8128 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »