Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
F3L75R12W1H3_B27Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon Modules3-Phase1.2 kV1.45 V45 A100 nA275 WEasyPack1B- 40 C+ 150 CTray
F4-100R06KL4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A LOW LOSS FOUR PACKНетIGBT Silicon ModulesQuad600 V1.95 V130 A400 nA430 WEconoPACK 2B- 40 C+ 125 CTray
F4-100R12KS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 130AДаIGBT Silicon ModulesQuad1200 V130 AEcono 3- 40 C+ 125 CTray
F4-150R06KL4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 180AДаIGBT Silicon ModulesQuad600 V180 AEcono 2- 40 C+ 125 CTray
F4-150R12KS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 180AНетIGBT Silicon ModulesQuad1200 V180 AEcono 3- 40 C+ 125 CTray
F4-200R06KL4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 225AДаIGBT Silicon ModulesQuad600 V225 AEcono 3- 40 C+ 125 CTray
F4-50R12KS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 70AНетIGBT Silicon ModulesQuad1200 V3.75 V70 A400 nA355 WEcono 2- 40 C+ 125 CTray
F4-75R06W1E3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 100AДаIGBT Silicon ModulesQuad600 V100 AEASY1B- 40 C+ 150 CTray
F4-75R12KS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100AДаIGBT Silicon ModulesQuad1200 V100 AEcono 2- 40 C+ 125 CTray
FB10R06KL4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15AДаIGBT Silicon ModulesHex600 V15 AEASY1- 40 C+ 125 CTray
FB10R06KL4GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15AНетIGBT Silicon ModulesHex600 V15 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FB10R06KL4G_B1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15AНетIGBT Silicon ModulesHex600 V15 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FB15R06KL4_B1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 19AДаIGBT Silicon ModulesHex600 V19 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FB20R06KL4_B1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 25AДаIGBT Silicon ModulesHex600 V25 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FB20R06W1E3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesHex600 V29 AEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FB30R06W1E3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesHex600 V2 V39 A400 nA115 WEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FD1200R17KE3-KInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.6KAДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Collector Dual Emitter1700 V1600 AIHM130- 40 C+ 125 CTray
FD300R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesSingle600 V400 A62 mm- 40 C+ 150 CTray
FD300R12KS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 370AДаIGBT Silicon ModulesSingle1200 V3.2 V370 A400 nA1950 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
FD400R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580AДаIGBT Silicon ModulesSingle1200 V580 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
FD400R33KF2C-KInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 660AДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Collector Dual Emitter3300 V660 AIHV130- 40 C+ 125 CTray
FD600R17KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 950AДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Collector Dual Emitter1700 V950 AIHM130- 40 C+ 125 CTray
FD800R17KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.2KAДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Collector Dual Emitter1700 V1200 AIHM130- 40 C+ 125 CTray
FD800R33KF2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 800A CHOPPERДаIGBT Silicon ModulesDual3300 V3.4 V1300 A400 nA9.6 kWIHM190- 40 C+ 125 CTray
FD800R33KF2C-KInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1.3KAДаIGBT Silicon ModulesDual3300 V1300 AIHV190- 40 C+ 125 CTray

Страницы