Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- …
- следующая ›
- последняя »
| Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| F3L75R12W1H3_B27 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1.2 kV | 1.45 V | 45 A | 100 nA | 275 W | EasyPack1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
| F4-100R06KL4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A LOW LOSS FOUR PACK | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 600 V | 1.95 V | 130 A | 400 nA | 430 W | EconoPACK 2B | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
| F4-100R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 130A | Да | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 130 A | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| F4-150R06KL4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 180A | Да | IGBT Silicon Modules | Quad | 600 V | 180 A | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| F4-150R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 180A | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 180 A | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| F4-200R06KL4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 225A | Да | IGBT Silicon Modules | Quad | 600 V | 225 A | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| F4-50R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 70A | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 3.75 V | 70 A | 400 nA | 355 W | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
| F4-75R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 100A | Да | IGBT Silicon Modules | Quad | 600 V | 100 A | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
| F4-75R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A | Да | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 100 A | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| FB10R06KL4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15A | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 15 A | EASY1 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| FB10R06KL4G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15A | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 15 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| FB10R06KL4G_B1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15A | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 15 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| FB15R06KL4_B1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 19A | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 19 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| FB20R06KL4_B1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 25A | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 25 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| FB20R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 29 A | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
| FB30R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 2 V | 39 A | 400 nA | 115 W | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||
| FD1200R17KE3-K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.6KA | Да | IGBT Silicon Modules | Single Dual Collector Dual Emitter | 1700 V | 1600 A | IHM130 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| FD300R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 400 A | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
| FD300R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 370A | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 3.2 V | 370 A | 400 nA | 1950 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
| FD400R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 580 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| FD400R33KF2C-K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 660A | Да | IGBT Silicon Modules | Single Dual Collector Dual Emitter | 3300 V | 660 A | IHV130 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| FD600R17KE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 950A | Да | IGBT Silicon Modules | Single Dual Collector Dual Emitter | 1700 V | 950 A | IHM130 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| FD800R17KE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.2KA | Да | IGBT Silicon Modules | Single Dual Collector Dual Emitter | 1700 V | 1200 A | IHM130 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
| FD800R33KF2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 800A CHOPPER | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 3300 V | 3.4 V | 1300 A | 400 nA | 9.6 kW | IHM190 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
| FD800R33KF2C-K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1.3KA | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 3300 V | 1300 A | IHV190 | - 40 C | + 125 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- …
- следующая ›
- последняя »