Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
BSM50GB120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUALНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V78 A200 nA400 WHalf Bridge1- 40 C+ 150 CTray
BSM50GB60DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A DUALНетIGBT Silicon ModulesDual600 V2.2 V75 A400 nA280 W32 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM50GD120DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASEНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.4 V85 A400 nA350 WEconoPACK 2A- 40 C+ 125 CTray
BSM50GD120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A FL BRIDGEНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.5 V72 A200 nA350 WEconoPACK 2A- 40 C+ 150 CTray
BSM50GD120DN2E3226Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.5 V50 A200 nA350 WEconoPACK 2+ 150 CTray
BSM50GD60DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex600 V2.2 V70 A400 nA250 WEconoPACK 2A- 40 C+ 125 CTray
BSM50GP120Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIMНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.5 V80 A300 nA360 WEconoPIM3- 40 C+ 125 CTray
BSM50GP60Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A PIMДаIGBT Silicon ModulesHex600 V2.2 V70 A300 nA250 WEconoPIM2- 40 C+ 125 CTray
BSM50GP60GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A PIMДаIGBT Silicon ModulesHex600 V2.2 V70 A300 nA250 WEconoPIM3- 40 C+ 125 CTray
BSM50GX120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon Modules3-Phase1200 V2.5 V78 A200 nA400 W- 55 C+ 150 CTray
BSM75GAL120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A CHOPPERНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V105 A400 nA625 WHalf Bridge GAL 1- 40 C+ 150 CTray
BSM75GB120DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.4 V170 A400 nA690 W32 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM75GB120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A DUALДаIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V105 A320 nA625 WHalf Bridge1- 40 C+ 150 CTray
BSM75GB60DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A DUALНетIGBT Silicon ModulesDual600 V2.2 V100 A400 nA355 W32 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM75GD120DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 125AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.9 V125 A500 WEcono 3- 40 C+ 125 CTray
BSM75GD120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASEНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.5 V103 A320 nA520 WEconoPACK 3A- 40 C+ 150 CTray
BSM75GP60Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A PIMДаIGBT Silicon ModulesHex600 V2.2 V100 A300 nA310 WEcono PIM3- 40 C+ 125 CTray
BYM300B170DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 300AДаIGBT Silicon ModulesSingle1700 V300 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
DDB2U30N08VRInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 25AДаIGBT Silicon ModulesSingle600 V25 AEASY750- 40 C+ 125 CTray
DDB6U30N08VRInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26AНетIGBT Silicon ModulesSingle600 V26 AEASY750- 40 C+ 125 CTray
DF150R12RT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 150AДаIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V150 A100 nA790 W- 40 C+ 150 CTray
DF400R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580AДаIGBT Silicon ModulesSingle1200 V580 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
F3L150R07W2E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 150AДаIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter650 V1.45 V150 A400 nA335 WModule- 40 C+ 150 CTray
F3L300R07PE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650VНетIGBT Silicon Modules650 V1.95 V300 A400 nA940 W- 40 C+ 150 CTray
F3L50R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 600V 50AДаIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter600 V1.45 V75 A400 nA175 WModule- 40 C+ 150 CTray

Страницы