Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт ![]() | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSM50GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUAL | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 78 A | 200 nA | 400 W | Half Bridge1 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM50GB60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A DUAL | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 2.2 V | 75 A | 400 nA | 280 W | 32 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM50GD120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.4 V | 85 A | 400 nA | 350 W | EconoPACK 2A | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM50GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A FL BRIDGE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.5 V | 72 A | 200 nA | 350 W | EconoPACK 2A | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM50GD120DN2E3226 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.5 V | 50 A | 200 nA | 350 W | EconoPACK 2 | + 150 C | Tray | |||
BSM50GD60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 3-PHASE | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 2.2 V | 70 A | 400 nA | 250 W | EconoPACK 2A | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM50GP120 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.5 V | 80 A | 300 nA | 360 W | EconoPIM3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM50GP60 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A PIM | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 2.2 V | 70 A | 300 nA | 250 W | EconoPIM2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM50GP60G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A PIM | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 2.2 V | 70 A | 300 nA | 250 W | EconoPIM3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM50GX120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1200 V | 2.5 V | 78 A | 200 nA | 400 W | - 55 C | + 150 C | Tray | |||
BSM75GAL120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A CHOPPER | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 105 A | 400 nA | 625 W | Half Bridge GAL 1 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM75GB120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.4 V | 170 A | 400 nA | 690 W | 32 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM75GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A DUAL | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 105 A | 320 nA | 625 W | Half Bridge1 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM75GB60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A DUAL | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 2.2 V | 100 A | 400 nA | 355 W | 32 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BSM75GD120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 125A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.9 V | 125 A | 500 W | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
BSM75GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.5 V | 103 A | 320 nA | 520 W | EconoPACK 3A | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
BSM75GP60 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A PIM | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 2.2 V | 100 A | 300 nA | 310 W | Econo PIM3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||
BYM300B170DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 300A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1700 V | 300 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
DDB2U30N08VR | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 25A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 25 A | EASY750 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
DDB6U30N08VR | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26A | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 26 A | EASY750 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
DF150R12RT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 150A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 150 A | 100 nA | 790 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
DF400R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 580 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
F3L150R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 150A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 650 V | 1.45 V | 150 A | 400 nA | 335 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||
F3L300R07PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V | ![]() | Нет | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.95 V | 300 A | 400 nA | 940 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
F3L50R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 600V 50A | ![]() | Да | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 600 V | 1.45 V | 75 A | 400 nA | 175 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- …
- следующая ›
- последняя »