Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
DDB6U75N16W1R_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifier 1200VНетTray
DF1000R17IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 1000AДаTray
DF1000R17IE4D_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF120R12W2H3_B27Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF1400R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 1400AДаTray
DF160R12W2H3F_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
DF200R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUALДаSingle1200 V1.7 V200 A400 nA1.04 kWIS5a ( 62 mm )-5- 40 C+ 125 CTray
DF200R12PT4_B6Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF200R12W1H3_B27Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
DF300R07PE4_B6Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650VНетTray
DF300R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUALДаSingle1200 V1.7 V300 A400 nA1470 WIS5a ( 62 mm )-5- 40 C+ 125 CTray
DF600R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 600AДаTray
DF600R12IP4DVInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF650R17IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 650AДаTray
DF75R12W1H4F_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF80R12W2H3F_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF900R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 900AДаTray
DF900R12IP4DVInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DZ3600S17K3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.7KV 3.6KAДаSingleIHM190- 40 C+ 125 CTray
DZ800S17K3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.7KV 800AДаSingle62 mm- 40 C+ 125 CTray
F12-25R12KT4GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25AДаTray
F3L100R07W2E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 100AНетTray
F3L100R12W2H3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
F3L150R12W2H3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
F3L15R12W2H3_B27Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray

Страницы