Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
| Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DDB6U75N16W1R_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifier 1200V | Нет | Tray | |||||||||||||
| DF1000R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 1000A | Да | Tray | |||||||||||||
| DF1000R17IE4D_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| DF120R12W2H3_B27 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| DF1400R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 1400A | Да | Tray | |||||||||||||
| DF160R12W2H3F_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | |||||||||||||
| DF200R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | Да | Single | 1200 V | 1.7 V | 200 A | 400 nA | 1.04 kW | IS5a ( 62 mm )-5 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
| DF200R12PT4_B6 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| DF200R12W1H3_B27 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | |||||||||||||
| DF300R07PE4_B6 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V | Нет | Tray | |||||||||||||
| DF300R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL | Да | Single | 1200 V | 1.7 V | 300 A | 400 nA | 1470 W | IS5a ( 62 mm )-5 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
| DF600R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 600A | Да | Tray | |||||||||||||
| DF600R12IP4DV | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| DF650R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 650A | Да | Tray | |||||||||||||
| DF75R12W1H4F_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| DF80R12W2H3F_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| DF900R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 900A | Да | Tray | |||||||||||||
| DF900R12IP4DV | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| DZ3600S17K3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.7KV 3.6KA | Да | Single | IHM190 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||||
| DZ800S17K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.7KV 800A | Да | Single | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||||
| F12-25R12KT4G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A | Да | Tray | |||||||||||||
| F3L100R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 100A | Нет | Tray | |||||||||||||
| F3L100R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | |||||||||||||
| F3L150R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | |||||||||||||
| F3L15R12W2H3_B27 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »