Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1291
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSПродукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
6MS20017E43W37032Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
6MS20017E43W38170Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
6MS30017E43W38169Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
6PS03012E33G34160Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
6PS04512E43G37986Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
6PS04512E43W39693Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
6PS18012E4FG35689Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
BYM600A170DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 600A F/DIODEДа62 mmTray
DD1000S33HE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IHM-B Module 3300V 1000AДаTray
DD1200S12H4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 1200VНетTray
DD1200S33K2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 1200A F/DIODEДаDual ParallelIHM130- 40 C+ 125 CTray
DD1200S45KL3_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DD200S33K2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 200A F/DIODEДаDualIHM73- 40 C+ 125 CTray
DD250S65K3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DD400S33K2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 400A F/DIODEДаDual Parallel800 kWIHM130- 40 C+ 125 CTray
DD400S33KL2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3.3KV 400AДаDualIHM73- 40 C+ 125 CTray
DD400S45KL3_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DD500S33HE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
DD500S65K3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 500A 6500VНетTray
DD600S65K3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600amps 6500VНетTray
DD750S65K3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 750A 6500VНетTray
DD800S33K2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 800A F/DIODEДаDual Parallel- 40 C+ 125 CTray
DDB6U134N16RRInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1600V 134A UN-CNTLНетDDB6Tray
DDB6U180N16RR_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
DDB6U75N16W1RInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifer 1600V 605AНетTray

Страницы