Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
6MS20017E43W37032 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
6MS20017E43W38170 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
6MS30017E43W38169 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
6PS03012E33G34160 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
6PS04512E43G37986 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
6PS04512E43W39693 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
6PS18012E4FG35689 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | ||||||||||||||
BYM600A170DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 600A F/DIODE | Да | 62 mm | Tray | ||||||||||||
DD1000S33HE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IHM-B Module 3300V 1000A | Да | Tray | |||||||||||||
DD1200S12H4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 1200V | Нет | Tray | |||||||||||||
DD1200S33K2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 1200A F/DIODE | Да | Dual Parallel | IHM130 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||||
DD1200S45KL3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
DD200S33K2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 200A F/DIODE | Да | Dual | IHM73 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||||
DD250S65K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
DD400S33K2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 400A F/DIODE | Да | Dual Parallel | 800 kW | IHM130 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||||
DD400S33KL2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3.3KV 400A | Да | Dual | IHM73 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||||
DD400S45KL3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
DD500S33HE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | |||||||||||||
DD500S65K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 500A 6500V | Нет | Tray | |||||||||||||
DD600S65K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600amps 6500V | Нет | Tray | |||||||||||||
DD750S65K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 750A 6500V | Нет | Tray | |||||||||||||
DD800S33K2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 800A F/DIODE | Да | Dual Parallel | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||||||
DDB6U134N16RR | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1600V 134A UN-CNTL | Нет | DDB6 | Tray | ||||||||||||
DDB6U180N16RR_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | |||||||||||||
DDB6U75N16W1R | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifer 1600V 605A | Нет | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »