Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 196
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология Усиление Полярность транзистора сортировать по убываниюVds - напряжение пробоя сток-исток Vds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки Выходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
CGHV40200PPWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 WattНетHEMTGaN16.1 dBN-Channel150 V- 10 V, 2 V8.7 A250 W-- 40 C+ 150 C166 WScrew Mount440199Tray
CGHV40320D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 WattНетHEMTGaN-N-Channel50 V--320 W----SMD/SMTDieGel Pack
CGHV50200FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 WattНетHEMTGaN11.5 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V17 A180 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount4402015Tray
CGHV59070FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 WattНетHEMTGaN14 dBN-Channel150 V- 10 V, 2 V6.3 A76 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440224Tray
CGHV60040DWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 WattНетHEMTGaN18 dBN-Channel50 V-3.2 A40 W----SMD/SMTDieGel Pack
CGHV60075D5Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 WattНетHEMTGaN17 dBN-Channel150 V150 V10 A75 W---41.6 WSMD/SMTDieGel Pack
CGHV60170DWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 WattНетHEMTGaN18 dBN-Channel50 V-12.6 A170 W----SMD/SMTDieGel Pack
CGHV96050F1Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 WattНетHEMTGaN16 dBN-Channel100 V- 10 V to 2 V6 A80 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440210Tray
CGHV96100F2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 WattНетHEMTGaN12.4 dBN-Channel100 V- 10 V to 2 V12 A131 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440210Tray
GTVA104001FA-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400WНетHEMTGaN SiC19 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V4.6 A400 W-Flange MountH-37265J-2Cut Tape, MouseReel, Reel
GTVA107001EC-V1-R250Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A890 W-Screw MountH-36248-2Reel
GTVA107001EC-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A890 W-Screw MountH-36248-2Cut Tape, MouseReel, Reel
GTVA123501FA-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V15 A350 W-Flange MountH-37265J-2Cut Tape, MouseReel, Reel
GTVA126001EC-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A600 W-Screw MountH-36248-2Cut Tape, MouseReel, Reel
GTVA220701FA-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FETНетHEMTGaN SiC22 dBN-Channel150 V13.5 A45 W+ 225 CSMD/SMTH-37265J-2Reel
GTVA220701FA-V1-R2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FETНетHEMTGaN SiC22 dBN-Channel150 V13.5 A45 W+ 225 CSMD/SMTH-37265J-2Reel
GTVA261701FA-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FETНетHEMTGaN SiC17 dBN-Channel150 V7.5 A170 W+ 225 CSMD/SMTH-37265J-2Reel
GTVA261701FA-V1-R2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FETНетHEMTGaN SiC17 dBN-Channel150 V7.5 A170 W+ 225 CSMD/SMTH-37265J-2Reel
GTVA263202FC-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FETНетHEMTGaN SiC17 dBN-Channel150 V7.5 A340 W+ 225 CSMD/SMTH-37248-4Reel
GTVA263202FC-V1-R2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FETНетHEMTGaN SiC17 dBN-Channel150 V7.5 A340 W+ 225 CSMD/SMTH-37248-4Reel
TGF2965-SMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32VНетHEMTGaN SiC18 dBP-Channel32 V- 2.7 V600 mA6 W---7.5 WSMD/SMTQFN-16Tray

Страницы