Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 196
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора сортировать по убываниюТехнология Усиление Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Vds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки Выходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
CE3512K2-C1CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125CНетSiCut Tape, MouseReel, Reel
CE3520K3CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125CНетGaAsBulk
CE3520K3-C1CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125CНетSiCut Tape, MouseReel, Reel
CE3521M4CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125CНетGaAsBulk
A3G26H501W17SR3NXP SemiconductorsРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 VНетGaN13.7 dB150 V42 mA56 W- 55 C+ 225 CSMD/SMTNI-780S-4S2SReel
QPD0030QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 45W GaN 48VНетGaN21.7 dB---45 W-- 40 C-45 WSMD/SMTQFN-20Cut Tape, Reel
QPD0050TR7QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 75W 48VНетGaN19.4 dB75 W- 40 CSMD/SMTDFN-6Reel
QPD0060QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 90W 48VНетGaN16.2 dB---90 W-- 40 C--SMD/SMTDFN-6Cut Tape, Reel
T1G4004532-FLQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dBНетGaN SiC32 V100 V45 WSMD/SMTTray
T1G4004532-FSQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dBНетGaN SiC32 V100 V45 WSMD/SMTTray
A2G22S160-01SR3NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 VНетSiReel
A2G26H280-04SR3NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 VДаSiReel
A2G26H281-04SR3NXP SemiconductorsРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 VНетGaN14.2 dBN-Channel125 V- 8 V, 0 V50 W- 55 C+ 150 CSMD/SMTNI-780S-4Reel
NPT1010BMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaNДаGaN SiTray
NPT25100BMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaNДаGaN SiBulk
NPTB00025BMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMTДаGaN SiTray
XF1001-SC-EV1MACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом MIMIX 1W Packaged HFET Eval ModuleДаSi
CGH40120PWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 WattНетGaNTube
CGH55015F1Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 WattНетGaNTray
CGH55030F1Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 WattНетGaNTray
CGHV35400FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 WattНетSiTray
CGHV40050FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 WattНетGaNTray
CGHV96050F2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 WattНетTray
QPD1000QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaNНетHEMTGaN SiC19 dBN-Channel28 V100 V817 mA24 W- 40 C+ 85 C28.8 WSMD/SMTQFN-8Tray
QPD1003QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaNНетHEMTGaN SiC19.9 dBN-Channel50 V145 V15 A540 W- 40 C+ 85 C370 WSMD/SMTRF-565Tray

Страницы