Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 196
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология Усиление Полярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Vds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки сортировать по убываниюВыходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
CGH40006SWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V0.75 A6.9 W-- 40 C+ 150 C-SMD/SMTQFN-6Cut Tape, MouseReel, Reel
CGH60008D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V0.75 A8 W----SMD/SMTDieWaffle
CGHV1J006D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 WattНетHEMTGaN17 dBN-Channel100 V- 10 V to 2 V0.8 A6 W----SMD/SMTDieGel Pack
QPD1014SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-1.2GHz 15W 50V GaNНетHEMTGaN SiC18.4 dBN-Channel50 V145 V1 A12.5 W55 V- 40 C+ 85 C15.8 WSMD/SMTDFN-8Cut Tape, MouseReel, Reel
TGF2934QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaNНетHEMTGaN SiC14 dBN-Channel--1 A14 W-- 40 C+ 85 C15.8 WSMD/SMTGel Pack
TGF2978-SMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dBНетHEMTGaN SiC11 dBN-Channel32 V- 2.7 V1.3 A19 W+ 225 C33 WSMD/SMTQFN-20Tray
NPTB00004AMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMTДаHEMTGaN Si16 dBN-Channel100 V1.4 A+ 200 C11.6 WSMD/SMTSOIC-8Tray
QPD1011SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-1.2GHz 7W 50V GaNНетHEMTGaN SiC21 dBN-Channel50 V145 V1.46 A8.7 W55 V- 40 C+ 85 C13 WSMD/SMTSMD-8Cut Tape, MouseReel, Reel
CG2H40010FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 WattНетHEMTGaN16.5 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V1.5 A10 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tray
CG2H80015D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 WattНетHEMTGaN17 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V1.5 A15 W-+ 225 C-SMD/SMTDieGel Pack
CGH40010FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 WattНетHEMTGaN14.5 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V1.5 A12.5 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tube
CGH55015F2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 WattНетHEMTGaN12 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V1.5 A10 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tray
CGH60015D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 WattНетHEMTGaN15 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V1.5 A15 W----SMD/SMTDieWaffle
QPD1013SRQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%НетHEMTGaN SiC21.8 dBN-Channel1.7 A178 W65 V- 40 C+ 85 C67 WSMD/SMTDFN-6Cut Tape, MouseReel, Reel
TGF2954QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBmНетHEMTGaN SiC19.6 dBN-Channel32 V1.7 A44.5 dBm- 65 C+ 150 C34.5 WSMD/SMTDieGel Pack
CGHV27015SWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 WattНетHEMTGaN21.2 dBN-Channel150 V- 10 V, 2 V1.78 A15 W50 V- 40 C+ 150 C5 WSMD/SMTDFN-12Cut Tape, MouseReel, Reel
TGF2979-SMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dBНетHEMTGaN SiC11 dBN-Channel32 V- 2.7 V1.8 A22 W+ 225 C49 WSMD/SMTQFN-20Tray
CGHV60075D5Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 WattНетHEMTGaN17 dBN-Channel150 V150 V10 A75 W---41.6 WSMD/SMTDieGel Pack
GTVA107001EC-V1-R250Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A890 W-Screw MountH-36248-2Reel
GTVA107001EC-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A890 W-Screw MountH-36248-2Cut Tape, MouseReel, Reel
GTVA126001EC-V1-R0Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600WНетHEMTGaN SiC18 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V10 A600 W-Screw MountH-36248-2Cut Tape, MouseReel, Reel
MMBF5485ON Semiconductor / FairchildРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF TransistorНетJFETSiN-Channel- 25 V10 mA25 V- 55 C+ 150 C225 mWSMD/SMTSOT-23Cut Tape, MouseReel, Reel
CE3512K2CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125CНетpHEMTGaAs4 V10 mA- 55 C+ 125 C125 mWSMD/SMTBulk
CE3514M4CELРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125CНетpHEMTGaAs10 mA- 55 C+ 125 C125 mWSMD/SMTBulk
CGHV35060MPWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 WattНетHEMTGaN14.5 dBN-Channel150 V- 10 V, 2 V10.4 A75 W50 V- 40 C+ 107 C52 WSMD/SMTReel

Страницы