Вы здесь

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Всего результатов: 196
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТип транзистора Технология Усиление сортировать по убываниюПолярность транзистора Vds - напряжение пробоя сток-исток Vds - напряжение пробоя затвор-исток Id - непрерывный ток утечки Выходная мощность Максимальное напряжение сток-затвор Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Pd - рассеивание мощности Вид монтажа Упаковка / блок Упаковка
MRFG35003N6AT1NXP / FreescaleРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5НетpHEMTGaAs10 dB8 V- 5 V2.9 A+ 85 CSMD/SMTPLD-1.5Cut Tape, MouseReel, Reel
TGF2160QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIEНетpHEMTGaAs10.4 dB12 V- 7 V517 mA- 65 C+ 150 C5.6 WSMD/SMTGel Pack
TGF2120QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHzНетpHEMTGaAs11 dB8 V- 12 V194 mA+ 150 C4.2 WDieGel Pack
TGF2978-SMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dBНетHEMTGaN SiC11 dBN-Channel32 V- 2.7 V1.3 A19 W+ 225 C33 WSMD/SMTQFN-20Tray
TGF2979-SMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dBНетHEMTGaN SiC11 dBN-Channel32 V- 2.7 V1.8 A22 W+ 225 C49 WSMD/SMTQFN-20Tray
CGHV1F025SWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-15GHz, 25 WattНетHEMTGaN SiC11 dBN-Channel100 V- 10 V to 2 V2 A25 W-- 40 C+ 150 C-SMD/SMTDFN-12Cut Tape, Reel
CGHV40100FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 WattНетHEMTGaN11 dBN-Channel150 V2.7 V8.7 A100 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440193Tube
CGHV59350FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 WattНетHEMTGaN11 dB125 V- 10 V, 2 V450 W- 40 C+ 85 CSMD/SMTTray
TGF2080QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56%НетpHEMTGaAs11.5 dB12 V- 7 V259 mA- 12 V- 65 C+ 150 C4.2 WSMD/SMTGel Pack
CGHV50200FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 WattНетHEMTGaN11.5 dBN-Channel150 V- 10 V to 2 V17 A180 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount4402015Tray
CGH35240FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 WattНетHEMTGaN11.6 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V24 A240 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440201Tray
TGF2060QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBmНетpHEMTGaAs12 dB8 V- 3 V194 mA- 65 C+ 150 C2.1 WSMD/SMTGel Pack
CG2H30070F-TB2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Test Board without GaN HEMTДаHEMTGaN12 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V12 A85 W28 V- 40 C+ 150 CScrew MountCG2H30070FBulk
CGH55015F2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 WattНетHEMTGaN12 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V1.5 A10 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tray
CGH55030F2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 WattНетHEMTGaN12 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V3 A25 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440166Tray
CG2H30070FWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 WattНетHEMTGaN12.4 dBN-Channel120 V- 10 V, 2 V12 A70 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440224Tray
CGHV96100F2Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 WattНетHEMTGaN12.4 dBN-Channel100 V- 10 V to 2 V12 A131 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440210Tray
CGH40090PPWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 WattНетHEMTGaN12.5 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V12 A100 W-- 40 C+ 150 C-Screw Mount440199Tube
TGF2040QorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBmНетpHEMTGaAs13 dB8 V- 15 V129 mA- 65 C+ 150 C1.4 WSMD/SMTGel Pack
TGF2977-SMQorvoРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dBНетHEMTGaN SiC13 dBN-Channel32 V- 2.7 V326 mA6 W+ 225 C8.4 WSMD/SMTQFN-16Tray
NPT1012BMACOMРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaNДаHEMTGaN Si13 dBN-Channel100 V3 V4 mA+ 200 C44 WScrew MountTray
CGH40006PWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V0.75 A9 W-- 40 C+ 150 C-SMD/SMT440109Tray
CGH40006SWolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V0.75 A6.9 W-- 40 C+ 150 C-SMD/SMTQFN-6Cut Tape, MouseReel, Reel
CGH60060D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V6 A60 W----SMD/SMTDieWaffle
CGH60120D-GP4Wolfspeed / CreeРЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 WattНетHEMTGaN13 dBN-Channel120 V- 10 V to 2 V12 A120 W----SMD/SMTDieWaffle

Страницы