Всего результатов: 1291
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
| Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FZ600R12KP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600A | Да | Tray | |||||||||||||
| FZ600R17KE3_S4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1700V | Нет | Tray | |||||||||||||
| FZ600R17KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1700V | Нет | Tray | |||||||||||||
| FZ600R65KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 6500V | Нет | Tray | |||||||||||||
| FZ750R65KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 6500V 750A | Да | Tray | |||||||||||||
| FZ800R45KL3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| FZ900R12KP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A | Да | Tray | |||||||||||||
| IFS100B12N3E4_B31 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MIPAQ BASE 1200V 100A | Нет | Tray | |||||||||||||
| IFS100B12N3E4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| IFS100B17N3E4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| IFS150B12N3E4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| IFS150B12N3E4_B31 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| IFS150B17N3E4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| IFS150V12PT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MIPAQ SERVE 1200V 150A | Да | Tray | |||||||||||||
| IFS75B12N3E4_B31 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MIPAQ BASE 1200V 75A | Да | Tray | |||||||||||||
| 6MS16017P43W40382 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| 6MS16017P43W40383 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| 4PS03012S43G30699 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| 2PS06017E32G28213 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1x 325A AC at 690V AC Forced Air | Да | Tray | |||||||||||||
| TDB6HK180N16RR_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1600V 180A | Да | Tray | |||||||||||||
| TDB6HK180N16RR | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| TDB6HK180N16RR_B48 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | |||||||||||||
| TDB6HK240N16P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1600V 240A | Да | Tray | |||||||||||||
| TDB6HK360N16P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1600V 360A | Да | Tray | |||||||||||||
| DF200R12W1H3FB11BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Нет | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »