Всего результатов: 1775
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Тип | Vf - прямое напряжение | Vr - обратное напряжение | Vgs - напряжение затвор-исток | Вид монтажа | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TZ310N22KOF | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 2200V 700A SINGLE | Да | Rectifier Diode Module | 2200 V | Screw Mount | TZ310 | Tray | ||||||||
TZ310N26KOF | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 2600V 700A SINGLE | Да | Rectifier Diode Module | 2600 V | Screw Mount | TZ310 | Tray | ||||||||
TZ240N34KOF | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 3400V 700A SINGLE | Да | Thyristor Power Modules | Rectifier Diode Module | 3400 V | Screw Mount | TZ240 | - 40 C | + 125 C | TZ240N | Tray | ||||
TZ240N36KOF | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 3600V 700A SINGLE | Да | Thyristor Power Modules | Rectifier Diode Module | 3600 V | Screw Mount | TZ240 | - 40 C | + 125 C | TZ240N | Tray | ||||
TZ150N26KOF | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 2600V 350A SINGLE | Да | Rectifier Diode Module | 2600 V | Screw Mount | TZ150 | Tray | ||||||||
IXTQ130N20T | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench | 20 V | Through Hole | TO-3P | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTQ60N10T | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench | 30 V | Through Hole | TO-3P | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTQ60N20T | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench | 20 V | Through Hole | TO-3P | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTQ86N25T | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench Gate | 20 V | Through Hole | TO-3P | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTT1N250HV-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTT1N250HV TRL | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | SMD/SMT | TO-268S-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTT140N075L2HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 | Нет | Power MOSFET Modules | Linear L2 | 20 V | SMD/SMT | TO-268HV-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTT2N300P3HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3 | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | SMD/SMT | TO-268HV-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTT34N65X2HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS | Нет | Power MOSFET Modules | X2-Class | 30 V | SMD/SMT | TO-268HV-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTT3N200P3HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3 | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | SMD/SMT | TO-268HV-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
MCB60I1200TZ-TUB | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули SICARBIDE-DISCRETE MOSFET | Нет | Power MOSFET Modules | Single MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-268AA-3 | - 40 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTT11P50-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTT11P50 TRL | Нет | Power MOSFET Modules | 20 V | SMD/SMT | TO-268-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | ||||||
IXTT140N10P-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTT140N10P TRL | Нет | Power MOSFET Modules | PolarHT | 20 V | SMD/SMT | TO-268-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | |||||
IXTT40N50L2-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTT40N50L2 TRL | Нет | Power MOSFET Modules | Linear L2 | 20 V | SMD/SMT | TO-268-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTT6N120-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTT6N120 TRL | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | SMD/SMT | TO-268-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTT96N20P-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTT96N20P TRL | Нет | Power MOSFET Modules | PolarHT | 20 V | SMD/SMT | TO-268-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | |||||
APT10045LFLLG | Microchip / Microsemi | Дискретные полупроводниковые модули FG, FREDFET,1000V, TO-264, RoHS | Нет | Power MOSFET Modules | MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT10045LLLG | Microchip / Microsemi | Дискретные полупроводниковые модули FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS | Нет | Power MOSFET Modules | MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXYK30N170CV1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE | Нет | Diode Power Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYA20N120A4HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | SMD/SMT | TO-263HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXYA30N120A4HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | SMD/SMT | TO-263HV-3 | - 55 C | + 175 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »