Всего результатов: 1775
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 61
- 62
- 63
- 64
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Тип | Vf - прямое напряжение | Vr - обратное напряжение | Vgs - напряжение затвор-исток | Вид монтажа | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSM120D12P2C005 | ROHM Semiconductor | Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 120A (w/ Diode) | Нет | Power Semiconductor Modules | SiC Power MOSFET | - 6 V, 22 V | Screw Mount | Module | - 40 C | + 150 C | BSMx | Bulk | ||||
BSM180C12P2E202 | ROHM Semiconductor | Дискретные полупроводниковые модули 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 | Нет | Power Semiconductor Modules | SiC Power Module | 1.6 V at 180 A | - 6 V, 22 V | Screw Mount | Module | - 40 C | + 150 C | BSMx | Tray | |||
BSM180D12P2C101 | ROHM Semiconductor | Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 180A (no Diode) | Нет | Power Semiconductor Modules | SiC Power MOSFET | - 6 V, 22 V | Screw Mount | Module | - 40 C | + 150 C | BSMx | Bulk | ||||
BSM250D17P2E004 | ROHM Semiconductor | Дискретные полупроводниковые модули 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module | Нет | Power Semiconductor Modules | Half Bridge Module | - 6 V, 22 V | Screw Mount | Module | - 40 C | + 150 C | BSMx | Tray | ||||
BSM300D12P2E001 | ROHM Semiconductor | Дискретные полупроводниковые модули 300A SiC Power Module | Нет | Power MOSFET Modules | SiC Power MOSFET | - 6 V, 22 V | Screw Mount | Module | - 40 C | + 150 C | BSMx | Bulk | ||||
IXTP230N04T4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench T4 | 10 V | Through Hole | TO-220AB-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTP230N04T4M | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench T4 | 10 V | Through Hole | TO-220AB-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTY18P10T-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY18P10T TRL | Нет | Power MOSFET Modules | TrenchP | 15 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY26P10T-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY26P10T TRL | Нет | Power MOSFET Modules | TrenchP | 15 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY32P05T-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY32P05T TRL | Нет | Power MOSFET Modules | TrenchP | 15 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY48P05T-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY48P05T TRL | Нет | Power MOSFET Modules | TrenchP | 15 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
MMIX1T660N04T4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MSFT SMPD PKG-HIPERFETMSF | Нет | Power MOSFET Modules | Trench T4 | 15 V | SMD/SMT | - 55 C | + 175 C | |||||||
MTC120W55GC-SMD | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули MOSFET MODULE - SIXPACK ISOPLU | Нет | Power MOSFET Modules | Three Phase Full Bridge | 15 V | SMD/SMT | ISOPLUS-DIL | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
MTC120WX55GD-SMD | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули MOSFET MODULE - SIXPACK ISOPLU | Нет | Power MOSFET Modules | Three Phase Full Bridge | 15 V | SMD/SMT | ISOPLUS-DIL | - 55 C | + 175 C | ||||||
MTC120WX75GD-SMD | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули MOSFET MODULE - SIXPACK ISOPLU | Нет | Power MOSFET Modules | Three Phase Full Bridge | 15 V | SMD/SMT | ISOPLUS-DIL | - 55 C | + 175 C | ||||||
MTI145WX100GD-SMD | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули MOSFET MODULE - SIXPACK ISOPLU | Нет | Power MOSFET Modules | Three Phase Full Bridge | 15 V | SMD/SMT | ISOPLUS-DIL | - 55 C | + 150 C | ||||||
MTI200WX75GD-SMD | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули MOSFET MODULE - SIXPACK ISOPLU | Нет | Power MOSFET Modules | Three Phase Full Bridge | 15 V | SMD/SMT | ISOPLUS-DIL | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT40N60JCU2 | Microchip / Microsemi | Дискретные полупроводниковые модули CC0042 | Нет | Power MOSFET Modules | 20 V | Screw Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||||
APT40N60JCU3 | Microchip / Microsemi | Дискретные полупроводниковые модули DOR CC0043 | Нет | Power MOSFET Modules | 20 V | Screw Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||||
APT77N60JC3 | Microchip / Microsemi | Дискретные полупроводниковые модули FG, MOSFET, 600V, 77 AMPS, SOT-227 | Нет | Power MOSFET Modules | 20 V | Screw Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||||
APTC60HM35T3G | Microchip / Microsemi | Дискретные полупроводниковые модули CC3003 | Нет | Power MOSFET Modules | 20 V | Screw Mount | SP-32 | - 40 C | + 150 C | Tube | ||||||
DDB2U50N08W1RB23BOMA2 | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули LOW POWER EASY | Нет | Diode Power Modules | Rectifier Diode Module | 1.1 V | 800 V | 20 V | Press Fit | Module | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
IXTF1R4N450 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCH STD-VERYHIVOLT | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | ISOPLUS i4-Pak | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTF2N300P3 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MSFT N-CH STD-POLAR3 | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | ISOPLUS i4-Pak | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTF6N200P3 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MSFT N-CH STD-POLAR3 | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | ISOPLUS i4-Pak | - 55 C | + 150 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 61
- 62
- 63
- 64
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- …
- следующая ›
- последняя »