Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGLQ50H65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3211 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ50TL65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC3212 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ50VDA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3215 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.85 V | 70 A | 150 nA | 175 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ75H120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4144 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 2.05 V | 130 A | 150 nA | 385 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ100A65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8125 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ100DA65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8123 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ100DDA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3202 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ100H65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3189 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ100SK65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8124 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ150TA65TPG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6546 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Hex | 650 V | 1.65 V | 150 A | 360 nA | 365 W | SP6-P | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ200A65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3201 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.65 V | 200 A | 480 nA | 483 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ200DA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3199 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.65 V | 200 A | 480 nA | 483 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ200SK65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3200 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.65 V | 200 A | 480 nA | 483 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ50TA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3203 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Hex | 650 V | 1.65 V | 50 A | 120 nA | 125 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
STGIPQ8C60T-HZ | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 600 V | 2 V | 8 A | - | 19.2 W | N2DIP-26 | - 40 C | + 125 C | ||||
FF300R12KT3P_E | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.7 V | 300 A | 400 nA | - | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
FF400R12KT3P_E | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 1.7 V | 400 A | 400 nA | - | Module | - 40 C | + 125 C | Tray | |||
FP10R12W1T7B11BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT7-T7 | IGBT Silicon Modules | PIM | 1200 V | 1.6 V | 10 A | 100 nA | AG-EASY1B-2 | - 40 C | + 175 C | Tray | ||||
A1C15S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 15 A | 500 nA | 142.8 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1C15S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 15 A | 500 nA | 142.8 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P25S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P25S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P35S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P35S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2C25S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »