Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по убываниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGLQ50H65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3211Нет-IGBT Silicon ModulesQuad650 V1.85 V70 A150 nA175 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ50TL65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC3212Нет-IGBT Silicon ModulesQuad650 V1.85 V70 A150 nA175 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ50VDA65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3215Нет-IGBT Silicon ModulesDual650 V1.85 V70 A150 nA175 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ75H120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4144Нет-IGBT Silicon ModulesQuad1200 V2.05 V130 A150 nA385 WSP4- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ100A65T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8125Нет-IGBT Silicon ModulesDual650 V1.65 V100 A240 nA250 WSP1- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ100DA65T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8123Нет-IGBT Silicon ModulesSingle650 V1.65 V100 A240 nA250 WSP1- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ100DDA65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3202Нет-IGBT Silicon ModulesDual650 V1.65 V100 A240 nA250 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ100H65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3189Нет-IGBT Silicon ModulesQuad650 V1.65 V100 A240 nA250 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ100SK65T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8124Нет-IGBT Silicon ModulesSingle650 V1.65 V100 A240 nA250 WSP1- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ150TA65TPGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6546Нет-IGBT Silicon ModulesHex650 V1.65 V150 A360 nA365 WSP6-P- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ200A65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3201Нет-IGBT Silicon ModulesDual650 V1.65 V200 A480 nA483 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ200DA65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3199Нет-IGBT Silicon ModulesSingle650 V1.65 V200 A480 nA483 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ200SK65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3200Нет-IGBT Silicon ModulesSingle650 V1.65 V200 A480 nA483 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ50TA65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3203Нет-IGBT Silicon ModulesHex650 V1.65 V50 A120 nA125 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
STGIPQ8C60T-HZSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTsНет-IGBT Silicon ModulesHalf Bridge600 V2 V8 A-19.2 WN2DIP-26- 40 C+ 125 C
FF300R12KT3P_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Нет-IGBT Silicon ModulesDual1200 V1.7 V300 A400 nA-62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF400R12KT3P_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Нет-IGBT Silicon ModulesDual1200 V1.7 V400 A400 nA-Module- 40 C+ 125 CTray
FP10R12W1T7B11BOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT7-T7IGBT Silicon ModulesPIM1200 V1.6 V10 A100 nAAG-EASY1B-2- 40 C+ 175 CTray
A1C15S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V15 A500 nA142.8 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1C15S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V15 A500 nA142.8 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P25S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V25 A500 nA197 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P25S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V25 A500 nA197 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P35S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V35 A500 nA250 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A1P35S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V35 A500 nA250 WACEPACK1- 40 C+ 150 C
A2C25S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesConverter Inverter Brake1200 V1.95 V25 A500 nA197 WACEPACK2- 40 C+ 150 C

Страницы