Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VUB145-16NOXT | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3 Phase Rectifier Bridge w/ IGBT | Нет | Bulk | ||||||||||||||
VUB160-16NOX | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake Unit | Нет | Bulk | ||||||||||||||
VS-100MT060WSP | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - MTP SWITCH-e3 | Нет | Full Bridge | 600 V | 2.14 V | 107 A | 200 nA | 403 W | MTP | + 150 C | |||||||
VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75A Half Bridge 3 Level Inverter | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 109 A | 200 nA, 400 nA | 294 W | - 40 C | + 150 C | |||||||
VS-ETF150Y65N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 650 V | 1.7 V | 201 A | 600 nA | 600 W | EMIPAK-2B | + 175 C | Tube | |||||
VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - EMIPAK SWITCH | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 650 V | 1.72 V, 1.75 V | 142 A, 201 A | 600 nA | 417 W, 600 W | EMIPAK-2B | + 175 C | ||||||
VS-GA300TD60S | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | Нет | Half Bridge | 600 V | 1.24 V | 530 A | 200 nA | 1.136 kW | INT-A-PAK | - 40 C | + 150 C | ||||||
VS-GB100YG120NT | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SW Mod - ECONO IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | 4-Pack | 1200 V | 127 A | 440 nA | 625 W | ECONO3 | - 55 C | + 150 C | Bulk | |||||
VS-GB150TH120U | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | Нет | Half Bridge | 1.2 kV | 3.1 V | 280 A | 400 nA | 1.147 kW | INT-A-PAK | + 150 C | |||||||
VS-GB150YG120NT | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SW Mod - ECONO IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | 4-Pack | 1200 V | 182 A | 440 nA | 892 W | ECONO3 | - 55 C | + 150 C | Bulk | |||||
VS-GB200TH120U | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | Нет | Half Bridge | 1.2 kV | 3.1 V | 330 A | 400 nA | 1.316 kW | INT-A-PAK | + 150 C | |||||||
VS-GB75YF120UT | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - ECONO IGBT | Нет | 1.2 kV | 3.8 V | 100 A | 200 nA | 480 W | Econo 2 | + 220 C | ||||||||
VS-GB90SA120U | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - SOT-227 IGBT | Нет | Single | 1.2 kV | 3.3 V | 149 A | 250 nA | 862 W | SOT-227-4 | - 40 C | + 150 C | Tube | |||||
VS-GT100TP60N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - IAP IGBT | Нет | Half Bridge | 600 V | 1.65 V | 160 A | 400 nA | 417 W | INT-A-PAK | + 175 C | |||||||
VS-GT200TP065N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - IAP IGBT | Нет | Half Bridge | 650 V | 1.9 V | 221 A | 600 nA | 600 W | INT-A-PAK | - 40 C | + 175 C | ||||||
VS-GT300FD060N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | Нет | Half Bridge | 600 V | 1.72 V | 379 A | 500 nA | 1.25 kW | INT-A-PAK | + 175 C | |||||||
VS-GT300YH120N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | Нет | 1.2 kV | 2.17 V | 341 A | 400 nA | 1.042 kW | INT-A-PAK | - 40 C | + 150 C | |||||||
VS-GT400TH60N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | Нет | Half Bridge | 600 V | 1.6 V | 530 A | 400 nA | 1.6 kW | INT-A-PAK | + 175 C | |||||||
VS-50MT060WHTAPBF | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 50 Amp Half Bridge | Нет | IGBT Silicon Modules | Tube | |||||||||||||
VS-70MT060WHTAPBF | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 70 Amp Warp2 Speed IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 100 A | MTP | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
VS-GA75TS120UPBF | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 110 Amp 1200 Volt Half-Bridge | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 110 A | INT-A-PAK | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
VS-GB75YF120N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 75 Amp | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 100 A | ECONO2 4PAK | + 150 C | Bulk | ||||||||
FAM65CR51DZ2 | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CDA PFC SF3 F RFET | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 160 W | APMCD-B16-12 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||||||
FAM65HR51DS2 | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CAA H-BRIDGE SF3 | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 135 W | APMCA-B16-16 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||||||
IRG4BC20KDSTRLP | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10A | Нет | Single | 600 V | 16 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »