Всего результатов: 813
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Полярность транзистора | Технология | Id - непрерывный ток утечки | Vds - напряжение пробоя сток-исток | Rds Вкл - сопротивление сток-исток | Усиление | Выходная мощность | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Вид монтажа | Упаковка / блок | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A3T21H455W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 3.6 A | - 500 mV, 65 V | 15 dB | 87 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Reel | |||
A3T21H456W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30V | Нет | Dual N-Channel | Si | 1.6 A, 3.6 A | - 500 mV, 65 V | 15.5 dB | 87 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Reel | |||
A3T23H300W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 63 W Avg., 30 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 3.2 A | - 5 V, 65 V | 15.6 dB | 63 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Cut Tape, Reel | |||
A3T23H450W23SR6 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 87 W Avg., 30 V | Нет | Dual N-Channel | Si | - 0.5 V, 65 V | 14.7 dB | 87 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | ACP-1230S-4L2S | Cut Tape, Reel | ||||
AFIC31025GNR1 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V | Да | Dual N-Channel | Si | 200 mA | - 500 mV, 65 V | 31.9 dB | 25 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | TO-270WBG-17 | Reel | |||
AFIC31025NR1 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V | Да | Dual N-Channel | Si | 200 mA | - 500 mV, 65 V | 31.9 dB | 25 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | TO-270WB-17 | Reel | |||
AFV10700GSR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 1030-1090 MHz, 52 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.6 A | - 500 mV, 105 V | 19.2 dB | 700 W | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780GS-4L | Reel | |||
AFV10700H-1090 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы AFV10700H 1030-1090 MHz Reference Circuit | Да | Dual N-Channel | Si | 2.6 A | - 500 mV, 105 V | 19.2 dB | 700 W | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780H-4L | ||||
AFV10700HR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы 700W 1030-1090MHz | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.6 A | - 500 mV, 105 V | 19.2 dB | 700 W | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780H-4 | Cut Tape, Reel | |||
AFV10700HSR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы 700W 1030-1090MHz | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.6 A | - 500 mV, 105 V | 19.2 dB | 700 W | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780S-4 | Cut Tape, Reel | |||
BF1105R,215 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab) | Нет | Dual N-Channel | Si | 30 mA | 7 V, 7 V | - | - 65 C | + 150 C | SMD/SMT | SOT-143R-4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||
MRF085HR3 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 85 W CW over 1.8-1215 MHz, 50 V. | Нет | Dual N-Channel | Si | 210 mA | - 500 mV, 133 V | 25.6 dB | 85 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-650H-4 | Reel | |||
MRF13750H-1300 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы MRF13750H 1300 MHz Reference Circuit | Да | Dual N-Channel | Si | 2.8 A | - 500 mV, 105 V | 20.5 dB | 750 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-1230H-4 | ||||
MRF13750H-915MHZ | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы 750W 915MHz | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.8 A | - 500 mV, 105 V | 20.5 dB | 750 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-1230H-4 | ||||
MRF13750HR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы RF Power LDMOS Transistor 750 W | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.8 A | - 500 mV, 105 V | 20.5 dB | 750 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-1230H-4 | Cut Tape, Reel | |||
MRF13750HSR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы RF Power LDMOS Transistor 750 W CW over 700-1300 MHz, 50 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.8 A | - 500 mV, 105 V | 20.5 dB | 750 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-1230S-4S | Reel | |||
MRF8VP13350NR5 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-1300 MHz, 350 W CW, 50 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 1.3 A | - 500 mV, 100 V | 19.2 dB | 350 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-780-4L | Reel | |||
MRFE8VP8600HSR5 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor | Нет | Dual N-Channel | Si | 2.8 A | - 500 mV, 115 V | 21 dB | 140 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-1230S-4S | Cut Tape, Reel | |||
MRFX1K80GNR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V | Нет | Dual N-Channel | Si | 43 A | - 500 mV, 179 V | 24.4 dB | 1.8 kW | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230G-4L | Cut Tape, Reel | |||
MRFX1K80HR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы 65V LDMOS Transistor | Нет | Dual N-Channel | Si | 43 A | - 500 mV, 179 V | 25.1 dB | 1.8 kW | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-1230H-4 | Cut Tape, Reel | |||
MRFX1K80N-230MHZ | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы MRFX1K80N-230MHZ | Нет | Dual N-Channel | Si | 43 A | - 500 mV, 179 V | 24.4 dB | 1.8 kW | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230-4 | ||||
MRFX1K80N-88MHZ | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы MRFX1K80N 87.5-108 MHz Reference Circuit | Да | Dual N-Channel | Si | 43 A | - 500 mV, 179 V | 24.4 dB | 1.8 kW | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230-4 | ||||
MRFX1K80NR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz | Нет | Dual N-Channel | Si | 43 A | - 500 mV, 179 V | 24.4 dB | 1.8 kW | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230-4 | Cut Tape, Reel | |||
QPD1025 | Qorvo | РЧ МОП-транзисторы 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN | Нет | Dual N-Channel | GaN SiC | 28 A | 65 V | 22.5 dB | 1.862 kW | - 40 C | + 85 C | NI-1230-4 | Tray | ||||
A2T14H450-23NR6 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1452-1511 MHz, 93 W Avg., 31 V | Да | Dual N-Channel | Si | 3 A | - 500 mV, 65 V | 18.8 dB | 93 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230-4L2S | Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »