Всего результатов: 407
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Серия | Тип транзистора | Технология | Полярность транзистора | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | Непрерывный коллекторный ток | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Конфигурация | Вид монтажа | Упаковка / блок | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2307 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы | Да | Si | ||||||||||||||||
2729-125 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/Bipolar Radar Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2729-170 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/Bipolar Radar Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2729GN-150 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/Bipolar Radar Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2729GN-270 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2731-100M | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/Bipolar Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2731-20 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2731GN-110M | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2731GN-200M | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2735GN-100M | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
2735GN-35M | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
3135GN-100M | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
3135GN-170M | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы S-Band/GaN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
MDS800 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы Bipolar/LDMOS Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
MRF4427R2 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы RF NPN Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
MS3022 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы Comm/Bipolar Transistor | Нет | Si | ||||||||||||||||
SRF4427 | Microchip / Microsemi | РЧ биполярные транзисторы Bipolar/LDMOS Transistor | Да | Si | ||||||||||||||||
NESG2101M05-EVPW24-A | Renesas Electronics | РЧ биполярные транзисторы Silicon Germanium Amp. and Oscillator | Да | Bipolar | SiGe | NPN | ||||||||||||||
NESG3032M14-EVNF24 | Renesas Electronics | РЧ биполярные транзисторы Silicon Germanium Amp and Oscillator | Да | Bipolar | SiGe | |||||||||||||||
MAX2601ESA+T | Maxim Integrated | РЧ биполярные транзисторы 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | Нет | MAX2601 | Bipolar Power | Si | NPN | 100 | 17 V | 2.3 V | 200 mA | - 40 C | + 85 C | Single | SMD/SMT | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||
BFP 182W H6327 | Infineon Technologies | РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR | Нет | Bipolar | Si | Cut Tape, Reel | ||||||||||||||
BFP 183W H6327 | Infineon Technologies | РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR | Нет | BFP183 | Bipolar | Si | Cut Tape, Reel | |||||||||||||
BFP 193W H6327 | Infineon Technologies | РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR | Нет | BFP193 | Bipolar | Si | Cut Tape, Reel | |||||||||||||
BFP 420F H6327 | Infineon Technologies | РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR | Нет | BFP420 | Bipolar | Si | Cut Tape, Reel | |||||||||||||
BFP 420 H6433 | Infineon Technologies | РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR | Нет | BFP420 | Bipolar | Si | Cut Tape, Reel |
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »