Всего результатов: 407
Страницы
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Серия | Тип транзистора | Технология | Полярность транзистора | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | Непрерывный коллекторный ток | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Конфигурация | Вид монтажа | Упаковка / блок | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MRF5174 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ биполярные транзисторы RF Transistor | Нет | Bipolar Power | Si | NPN | 20 | 28 V | 3.5 V | 0.5 A | - 55 C | + 200 C | Through Hole | Case244-04 | Tray | |||||
MRF5176 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ биполярные транзисторы RF Transistor | Нет | Bipolar Power | Si | NPN | 10 | 33 V | 4 V | 2 A | - 65 C | + 200 C | Through Hole | Case244-04 | Tray | |||||
MRF586 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ биполярные транзисторы RF Transistor | Нет | Bipolar | Si | NPN | 50 | 17 V | 2.5 V | 200 mA | - 65 C | + 200 C | Through Hole | TO-92 | Tray | |||||
MRF587 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ биполярные транзисторы RF Transistor | Нет | Bipolar Power | Si | NPN | 50 | 17 V | 2.5 V | 200 mA | - 65 C | + 200 C | Through Hole | Case244-04 | Tray | |||||
MS1008 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ биполярные транзисторы RF Transistor | Нет | Bipolar Power | Si | NPN | 15 | 55 V | 4 V | 10 A | - 65 C | + 150 C | Single | Through Hole | M164 | Tray | ||||
SD1015-06 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ биполярные транзисторы RF Transistor | Нет | Bipolar Power | Si | NPN | 35 | 18 V | 4 V | 1 A | - 65 C | + 200 C | Through Hole | M135 | Tray | |||||
TPV596 | Advanced Semiconductor, Inc. | РЧ биполярные транзисторы RF Transistor | Нет | Bipolar Power | Si | NPN | 15 | 24 V | 3.5 V | 0.7 A | - 50 C | + 200 C | Through Hole | 244-04 | Tray |