Вы здесь

РЧ биполярные транзисторы

Всего результатов: 407
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSСерия Тип транзистора Технология Полярность транзистора Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfeНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение эмиттер-база (VEBO) Непрерывный коллекторный ток Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Конфигурация Вид монтажа сортировать по убываниюУпаковка / блок Квалификация Упаковка
MRF5174Advanced Semiconductor, Inc.РЧ биполярные транзисторы RF TransistorНетBipolar PowerSiNPN2028 V3.5 V0.5 A- 55 C+ 200 CThrough HoleCase244-04Tray
MRF5176Advanced Semiconductor, Inc.РЧ биполярные транзисторы RF TransistorНетBipolar PowerSiNPN1033 V4 V2 A- 65 C+ 200 CThrough HoleCase244-04Tray
MRF586Advanced Semiconductor, Inc.РЧ биполярные транзисторы RF TransistorНетBipolarSiNPN5017 V2.5 V200 mA- 65 C+ 200 CThrough HoleTO-92Tray
MRF587Advanced Semiconductor, Inc.РЧ биполярные транзисторы RF TransistorНетBipolar PowerSiNPN5017 V2.5 V200 mA- 65 C+ 200 CThrough HoleCase244-04Tray
MS1008Advanced Semiconductor, Inc.РЧ биполярные транзисторы RF TransistorНетBipolar PowerSiNPN1555 V4 V10 A- 65 C+ 150 CSingleThrough HoleM164Tray
SD1015-06Advanced Semiconductor, Inc.РЧ биполярные транзисторы RF TransistorНетBipolar PowerSiNPN3518 V4 V1 A- 65 C+ 200 CThrough HoleM135Tray
TPV596Advanced Semiconductor, Inc.РЧ биполярные транзисторы RF TransistorНетBipolar PowerSiNPN1524 V3.5 V0.7 A- 50 C+ 200 CThrough Hole244-04Tray

Страницы