Всего результатов: 800
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Полярность транзистора ![]() | Технология | Id - непрерывный ток утечки | Vds - напряжение пробоя сток-исток | Rds Вкл - сопротивление сток-исток | Усиление | Выходная мощность | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Вид монтажа | Упаковка / блок | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MHT1108NT1 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 12.5 W CW, 28 V | ![]() | Да | N-Channel | Si | 143 mA | - 500 mV, 65 V | 18.1 dB | 12.5 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | DFN-16 | Cut Tape, Reel | ||
MHT2001NR1 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы RF LDMOS Integrated Power Amplifier for Consumer and Commercial Cooking, 902-928 MHz, 175 W CW, 50 V | ![]() | Нет | N-Channel | Si | 33.8 dB | + 150 C | SMD/SMT | TO-270WB-14 | Reel | ||||||
MMRF5017HSR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы 50V GaN on Sic 90W CW 3MHz-1GHz | ![]() | Нет | N-Channel | GaN SiC | 200 mA | 125 V | 125 W | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-400S-2 | Cut Tape, Reel | |||
MMRF5017HS-1GHZ | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы MMRF5017HS 30-940 MHz Reference Circuit | ![]() | Да | N-Channel | GaN SiC | 200 mA | 125 V | 125 W | - 55 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-400S-2 | ||||
MRF101AN | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V | ![]() | Да | N-Channel | Si | 8.8 A | 133 V | 21.1 dB | 100 W | - 40 C | + 150 C | Through Hole | TO-220-3 | Tube | ||
MRF101BN | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V | ![]() | Да | N-Channel | Si | 8.8 A | 133 V | 21.1 dB | 100 W | - 40 C | + 150 C | Through Hole | TO-220-3 | Tube | ||
MRF24301HR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы 32V LDMOS 300 W CW 2400-2500 MHz | ![]() | Нет | N-Channel | Si | 32 V | 13.5 dB | 300 W | SMD/SMT | Cut Tape, Reel | ||||||
MRFE6VP6300-88 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы MRFE6VP6300-88 | ![]() | Нет | N-Channel | Si | 130 V | 26.5 dB | + 150 C | SMD/SMT | NI-780 | ||||||
MRFX035HR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V | ![]() | Нет | N-Channel | Si | 100 mA | 193 V | 24.8 dB | 35 W | - 40 C | + 150 C | Screw Mount | NI-360H-2SB | Cut Tape, Reel | ||
MRFX600GSR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V | ![]() | Нет | N-Channel | Si | 32 A | 193 V | 26.4 dB | 600 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780GS-4L | Cut Tape, Reel | ||
MRFX600HR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V | ![]() | Нет | N-Channel | Si | 32 A | 193 V | 26.4 dB | 600 W | - 40 C | + 150 C | Screw Mount | NI-780H-4L | Cut Tape, Reel | ||
MRFX600HSR5 | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V | ![]() | Нет | N-Channel | Si | 32 A | 193 V | 26.4 dB | 600 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780S-4L | Cut Tape, Reel | ||
QPD1020SR | Qorvo | РЧ МОП-транзисторы 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB | ![]() | Нет | N-Channel | GaN SiC | 100 mA | 50 V | 18.4 dB | 31 W | - 40 C | + 85 C | SMD/SMT | DFN-8 | Cut Tape, Reel | ||
TGF2929-FL | Qorvo | РЧ МОП-транзисторы DC-3.5GHz 100W 28V GaN | ![]() | Нет | N-Channel | GaN SiC | 12 A | 28 V | 14 dB | 107 W | Tray | ||||||
TGF2929-FS | Qorvo | РЧ МОП-транзисторы DC-3.5GHz 100W 28V GaN | ![]() | Нет | N-Channel | GaN SiC | 12 A | 28 V | 14 dB | 107 W | Tray | ||||||
A2T08VD020NT1 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V | ![]() | Да | N-Channel | Si | 64 mA | - 500 mV, 105 V | 19.1 dB | 2 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | PQFN-24 | Reel | ||
A2T09D400-23NR6 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 716-960 MHz, 93 W AVG., 28 V | ![]() | Да | N-Channel | Si | 2.7 A | - 500 mV, 70 V | 17.9 dB | 93 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-1230-4L2S-7 | Reel | ||
A2T18H160-24SR3 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 28 W Avg., 28 V | ![]() | Да | N-Channel | Si | 600 mA, 1 A | - 500 mV, 65 V | 17.9 dB | 28 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780S-4L2L-6 | Reel | ||
A2T18S260W12NR3 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V | ![]() | Да | N-Channel | Si | 3 A | - 500 mV, 65 V | 18.7 dB | 56 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-880X-2L2L-4 | Reel | ||
A2T18S261W12NR3 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V | ![]() | Да | N-Channel | Si | 3 A | - 500 mV, 65 V | 18.2 dB | 56 W | - 40 C | + 125 C | SMD/SMT | OM-880X-2L2L | Cut Tape, Reel | ||
A2T20H160W04NR3 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 28 W Avg., 28 V | ![]() | Да | N-Channel | Si | 17 dB | 28 W | SMD/SMT | OM-780-4L-4 | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||
A2T21H410-24SR6 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 28 W Avg, 28 V | ![]() | Да | N-Channel | Si | 1.6 A, 2.7 A | - 500 mV, 65 V | 15.6 dB | 72 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-1230S-4L2L-6 | Reel | ||
A2T21S260W12NR3 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 56 W Avg., 28 V | ![]() | Да | N-Channel | Si | 3.2 A | - 500 mV, 65 V | 17.9 dB | 56 W | - 40 C | + 125 C | SMD/SMT | OM-880X-2L2L | Reel | ||
A2T26H165-24SR3 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 32 W Avg., 28 V | ![]() | Да | N-Channel | Si | 700 mA, 1.2 A | - 500 mV, 65 V | 14.7 dB | 32 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | NI-780S-4L2L-6 | Reel | ||
A2V09H300-04NR3 | NXP / Freescale | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 79 W Avg., 48 V | ![]() | Да | N-Channel | Si | 900 mA, 1.3 A | - 500 mV, 105 V | 19.7 dB | 79 W | - 40 C | + 150 C | SMD/SMT | OM-780-4L-4 | Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- следующая ›
- последняя »